IBM相变记忆体研发迈过两道门槛（下）
Bill 发表于：11年07月04日 00:12 [编译] 存储在线
解决漂移问题
在PCM中，不同水平电阻值之间的差异越大越好，不过被称为电阻漂移的问题也会更快出现。因为有漂移，记忆体单元的电阻值会随着时间流逝而发生改变，导致不同电阻水平之间的界限渐渐模糊，并有可能导致数据损坏。这个问题很难解决，因为不同单元的漂移速度也不同。
IBM应对这个问题的方法就是使用一些记忆体单元来记录所谓的代码词而不是实际数据。这个方法，IBM称之为调制编码。它可以让IBM依赖于衡量相对的单元属性而不是单元本身的绝对电阻值。
Pozidis表示：“我们设计了一种调制编码，存储的不是绝对的电阻水平，而是相对顺序。我们知道绝对的电阻水平是会变化的。”
这样做的好处是错误率大大降低，使该技术更加实用化。
这份报告写道：“让我们印象深刻的而是，漂移容错编码所带来的裸错误率也只有10的5次方分之一，也就是10万个记忆体单元中有一个错误。使用简单的低冗余度纠错编码可以将整体的错误率降低到10的15次方分之一，也就是1,000,000,000,000,000个记忆体单元有一个错误。这对于记忆体设备来说足够了。”
Even within the stilted language of academic papers, the excitement comes through.
即使在学术性的语言中，我们也能感觉到作者的兴奋之情。
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