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IBM展示相变存储技术，单元存储量提升到3比特

IBM研究院的科学家采用一种较新的存储技术，即被称为相变存储（PCM）技术，首次展示了每个单元稳定的存储3比特数据的能力。目前常用的存储器主要有DRAM、硬盘驱动器以及普遍使用的闪存盘（U盘）。但在过去的几年，PCM因其综合了高速读/写、...

本周二，在巴黎举办的IEEE国际内存研讨会上，IBM研究院宣布其科学家在相变内存(PCM)技术上取得了重大突破。2011年这也是第一次，科学家能够采用PCM在每单元真正实现存储3字节。这项内存突破可能提供快速简单地存储，尤其有利于移动和物联...

HGST作为一头“性感野兽”，于今年美国闪存峰会上再一次高姿态展示其相变存储器。在闪存业内走“性感”路线，HGST认为这还是热门之选里的少数——又一次—&...

2013年12月26日存储在线报道：日前，宁波时代全芯科技有限公司正式发布中国自主研发的第一款具有自主知识产权的55纳米相变存储技术，为中国半导体存储厂商在云计算和大数据时代开辟了一条自主创“芯”之路，结束了中国芯片...

以“‘芯’时代、‘存’世界”为主题的“2013宁波时代全芯科技产品发布会”在宁波举行。现场发布了55纳米相变存储技术，宁波时代全芯科技有限公司成...

相变材料(PCM)内存(简称相变内存)能在单个元件上存储多个数位，有望从根本上解决即将到来的内存危机，而无需增大现有芯片的尺寸。我们不能无限制的在记忆卡上存储。虽然以前公布的将单个比特的数字信息存储在12个原子上十分引人注目，但在某些时刻...

DOSTOR存储在线 7月6日国际报道：瑞士苏黎世：IBM Research的科学家首次展示了新的记忆体技术，也就是相变记忆体（PCM）。科学家在每个记忆体单元上可以在更长的时间内存储多个比特的数据。这个重大的技术进步有助于发展低成本、更...

DOSTOR存储在线 7月4日国际报道： PCM的原理相变记忆体在数据记录上有一个简单的基本设计：利用热量来改变硫化物玻璃材料的电介性质。左边，一个示意图显示了相变记忆体单元是如何布置的；右边，放大显示了相变单元（PCE）以及它与电极的...

DOSTOR存储在线 7月1日国际报道：IBM已经解决了与相变记忆体有关的两个问题，表示下一代快速数据存储技术将可以在2016年应用于服务器。在IEEE（电气和电子工程师协会）国际记忆体工作组的一篇文章中，IBM的研究人员描述了他们是如何...

DOSTOR存储在线3月14日国际报道：相变存储（Phase-change memory，PCM）的地位似乎正在发生变化，以前它是一种发展前景光明的新生技术，现在马上要面临众多的替代技术。相变存储是一种涉及到内存单元的硫族化物层的材料状态...