闪存芯片的写入寿命问题

当有新的数据写入时需要替换旧的数据时，SSD主控制器将把新的数据写入到另外的空白的闪存空间上（标记为擦除状态）然后更新逻辑LBA地址来指向到新的物理地址。而旧的地址内容就变成了无效的数据，但是要在上面再次写入的话，就需要首先擦除掉这个无效数据。

闪存有编程的次数限制，即写入次数寿命。由于闪存数据不能覆盖，写前必须擦。这样每次的写入与擦除就叫做1个P/E周期（program/erase cycles），大家应该都知道MLC一般的写入寿命是5000~10000次，而SLC是10万次左右。

举例来说，三星470系列固态硬盘采用的是三星的K8HDGD8U5M闪存芯片，采用了32nm制程工艺。转移到更精细的制程工艺技术可以在一颗晶圆上生产出更多芯片。不过这也减少了芯片的使用寿命。闪存芯片在50nm制程等级时，可以反复擦写10000次，而34nm制程时则变成了5000次。根据三星表示，470系列所使用的闪存芯片擦写周期仅有3000次。由此看来美光的25nm制程芯片的耐用度是个不小的问题。