双倍性能：DDR NAND闪存芯片有多快？

在闪存业界，有两个互相竞争的高性能芯片规范组织。ONFI是其中之一，另一个则是大名鼎鼎的JEDEC。ONFI的阵营中，是由Intel、美光、海力士等几家国际大厂为主导。而ONFI 2.0也已经成为了业界目前最先进的高性能闪存规范。而三星和东芝另起炉灶，最新DDR标准叫Toggle。现在业界开始慢慢的达成统一，Toggle与ONFI宣布互相为之兼容。

如果你知道DDR的运作原理，就能很好的理解ONFI 2.0的机制。DDR本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准SDRAM的两倍。ONFI 2.0也利用了相同的差分时钟信号机制，在同一个信号源，同样的时钟频率下，得到了更快的数据吞吐量。同时这样做也更加节能。不过就像是从SDRAM过渡到DDR一样，其闪存控制芯片也要提供相应的支持。

根据三星网站上公布的数据，如同第一代DDR一样，第一代DDR NAND可以支持高达133Mbps的带宽。目前的普通的SDR NAND闪存芯片，带宽仅有40Mbps。你可能会怀疑，这个数字的真实性。通过X8层的组织以后，每颗芯片可以支持133MB/s的数据吞吐量。随后ONFI还制定了后续的166和200MB/s接口规范。在明年三星可能会使用400Mbps的DDR NAND型闪存芯片。