性能规格及工艺设计

wangfei 发表于:14年07月25日 09:42 [编译] 存储在线

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[导读]Fusion-io ioDrive 2Duo是一款整高半长应用加速器,如果与SLC NAND配套使用,它可以为目前需求最高的应用提供1.2TB的低延迟、高耐久存储。

Fusion ioDrive 2 Duo的性能规格

IoDrive 2 Duo(SLC版)的容量为1.2TB

???? 读带宽(1MB)3.0GB/s

???? 写带宽(1MB)2.5GB/s

???? 随机读数据IOPS(512B)700000

???? 随机写数据IOPS(512B)1100000

???? 随机读数据IOPS(4K)580000

???? 随机写数据IOPS(4K)535000

???? 读访问延迟时间47?s

???? 写访问延迟时间15?s

2x纳米NAND闪存 单级单元(SLC)

总线接口PCI-Express 2.0x8电子x8物理

重量:小于11盎司

外形尺寸:全高半长(FHHL)

保修期:5年或最长可用寿命

耐久性:190PBW(每控制器95PBW)

支持的操作系统

???? 微软Windows:64位Windows Server 2012,Windows Server 2008 R2,Windows Server 2008,Windows Server 2003

???? Linux RHEL 5/6;SLES 10/11;OEL 5/6;CentOS 5/;Debian Squeeze;Fedora 16/17;openSUSE 12;Ubuntu 10/11/12

???? UNIX Solaris 10/11x64;OpenSolaris 2009.06x64;OSX 10.6/10.7/10.8

???? Hypervisors VMware ESX 4.0/4.1/ESXi 4.1/5.0/5.1,Windows 2008R2配Hyper-V,Hyper-V Server 2008R2

设计和工艺

Fusion ioDrive 2Duo 1.2TB SLC是一款全高半长(FHHL)x8PCI-Express 2.0闪存卡,主电路板上配有两个控制器和一个PCIe开关。NAND闪存通过两个子插件电路板配备,这样Fusion就在产品生产上获得了较大的灵活性,因为它可以轻松换用新的NAND配置。 光刻技术升级的时候,Fusion-io不用重新设计闪存卡,只要在现场可编程门阵列上换一个新的子插件电路板和闪存固件就行了。我们的SLC版ioDrive 2Duo由两块600GB的ioMemory设备组成,每个ioMemory设备使用4条PCIe线路。 进程控制模块的布局也非常高效,闪存卡右侧配备了一个庞大的被动降温模块来给两个控制器降温。


每个控制器代表一块ioDrive 2,它自己配备了40纳米Xilinx Virtex-6现场可编程门阵列和768GB的SLC NAND闪存池。我们测试的这款ioDrive 2 Duo使用的是美光科技的NAND,但是Fusion-io的产品是兼容所有厂商的NAND产品的。 NAND闪存被分割成最多24个32GB的芯片,在备用格式下的可用容量为600GB。据此计算,备用预备水平为22%,与大多数企业闪存设备的备用预备水平差不多。


Fusion ioMemory与NAND闪存的对接就象处理器与系统内存之间的对接一样,它使用了Fusion-io的NAND控制器(现场可编程门阵列),后者可直接通过PCIe通讯,Fusion-io的驱动器或虚拟存储器层(VSL)软件安装在主系统上,它可以将Fusion-io的闪存卡当做传统的存储块设备来对待。通过Fusion-io的VSL软件,它可以模拟存储块设备来实现兼容性,同时Fusion-io还提供了一款SDK(软件开发工具包),以便第三方软件厂商绕过模拟技术实现与NAND闪存的本地互联。 从消耗的系统资源的角度来看,IoMemory也跟传统的解决方案很不一样。它使用了主机CPU,同时还在系统内存中创建了一个足迹。从产品支持的角度来说,由于Fusion-io使用现场可编程门阵列而非ASIC作为NAND控制器,它们只需部署极低水平的软件升级就能解决漏洞修复和提升性能的问题。 相比之下,标准的固态存储控制器只能通过开发新的控制器来实现根本性的升级,但是这两种设计都能通过固件升级来实现高级调整。

VSL 3.2.2带来的其中一项升级是增加了一项新的控制器功能。以前,每一个IoMemory设备在主系统中都被当作一个单一的设备来对待。 在Fusion最新版的VSL中,控制器被分成了两个设备,以双管道的方式来运行。因此并不是一个LUN对应ioDrive 2而两个LUN对应ioDrive 2Duo,它们分别对应的是2个和4个LUN。 在对新旧两种布局进行测试时,我们发现,尽管我们所有的正式标准测试只在VSL 3.2.2中进行过测试,但新布局极大地提高了小I/O性能。


在将Fusion ioMemory设备与其他的PCIe产品进行对比时,耗电量是另一个经常被关注的话题,因为它是少数几个配备外接电源的设备之一。这同样适用于Duo系列产品,因为它们实际上就是由两个IoMemory设备和1个PCIe卡组合而成。 在这些情况下,满负荷运行这些设备,它们的功率就会达到25瓦以上,而那正是x8PCIe的最小额定功率。Fusion-io考虑从两个方面解决功率的问题,即外接电源线或功率超负荷,那会通过一个x8PCIe插槽将耗电量提高25%。 我们测试的是安装在联想ThinkServer RD 630中的一款ioDrive 2 Duo SLC,我们在电源超负荷状态下执行了所有的标准测试,全程没有使用外接电源。Fusion-io在硬件安装说明书中指出,如果主服务器的额定功率为55瓦,则软件超负荷就能安全地启动。

[责任编辑:朱朋博]
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