闪存有三种类型。单层单元（SLC）闪存的每个单元存储1比特，是最快也是最贵的闪存。它的问题在于在它的PE（编程/擦除）周期次数有限。

每单元2比特的闪存被称为MLC（多层单元）闪存。它的容量比SLC闪存高，但是速度慢，尽管价格更便宜些，而且工作寿命也更短。三比特的闪存被称为TLC（三层单元闪存）。TLC比MLC更便宜、更慢，寿命也更短。TLC用于数码相机以及类似的PE周期在2500次以下也可以接受的场合。

过量配置可以延长闪存的耐久性，可以将空闲的未使用的单元代替已经损耗殆尽的单元。我们还有一个问题。提高闪存单位密度的唯一方式就是缩小单元尺寸。不过，随着我们这样做，从40纳米单元尺寸（49-40纳米范围）到30纳米范围到20纳米范围以至更小，闪存单元的耐久度也随之下降。如今最新的闪存是16纳米制程。也许厂商会推出更小的迭代，但是某种形式的NAND晶圆堆栈，也就是一个堆一个，将有它的必要性。三星已经宣布自己的3D V-NAND驱动器。

闪存记忆体晶圆

台式机和服务器的闪存记忆体一般是封装在磁盘驱动器大小的机盒内——通常是2.5英寸——并被称为SSD（固态驱动器）。它使用磁盘的访问接口，SATA或SAS。

使用闪存记忆体的计算机可以在数毫秒时间内访问数据，而磁盘驱动器需要数微秒，因为磁盘的读取头必须先被移动到正确的轨道。因此，使用闪存的计算机可以更快地运行应用程序，在虚拟化的服务器中支持更多的虚拟机。

另一个提供闪存的方式是将它直接连到内部的PCIe插槽，这可以提供更快的数据访问速度，因为不需要磁盘I/O转换。这种PCIe闪存卡记忆体正在快速发展。镁光将在明年推出16TB版本。

SSD或卡形式的闪存，比如Violin Memory的VIMM，可以被用于创建网络纯闪存阵列。这种阵列的访问速度比硬盘驱动器更快，只需要后者十分之一或者更少的物理空间，耗电也只有后者的十分之一。系统可以用重复数据删除技术来提高有效容量，并提供媲美磁盘驱动器阵列的单位GB成本。

磁盘驱动器阵列制造商们现在使用SSD来存储最活跃的数据，在控制器中使用闪存高速缓存来加快数据访问。有可能目前存储在磁盘驱动器阵列中的主数据将来会慢慢迁移到纯闪存阵列。

磁盘驱动器将用于存储二级或近线数据。将闪存用于主数据并将磁盘用于二级数据的复合式阵列可以在纯闪存阵列和纯磁盘阵列之间提供一个过渡点。这种阵列的价格低于纯闪存阵列，速度快于纯磁盘那阵列，同时仍然提供磁盘级的容量。

随着时间流逝，闪存技术也将退出主流并被其他技术所取代。目前，相变记忆体和电阻式RAM（随机存取记忆体）都被看作是潜在的候选技术。这两种技术都提供接近DRAM（动态随机存取记忆体）的速度，完全的随机访问和非易失性。

过去，磁带是在相当于纸上打一个孔的面积上承载一个比特，现在同样的面积可以承载MB或GB的数据。存储过去需要英寸级或厘米级的面积来存储看得见的比特数据。现在，它在纳米级的范围内存储看不见的比特，而且速度快到我们几乎无法理解它们。

如果我们要继续推动计算机的使用，存储就必须更快、更小、更便宜和更可靠。我们现在既是处在计算机时代，也是处在存储时代。

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