闪存是我们向内存中存储架构进发的一条必经之路。这也是来自富士通公司首席执行官Joseph Reger的观点。

Joseph Reger表示，闪存正在面临一系列无法解决的问题。他说，闪存的密度不断增加，都是以牺牲读写数据的能力为代价的。每一次工艺尺寸的缩小，从3X到2X 再到1X，都降低了闪存的耐用性，而每一次单元字位水平的提高，从2位到3位MLC再到4位，都带来了自身访问速度和耐用性的难题。

富士通首席执行官Joseph Reger

他说：“你可以让控制器很智能，SandForce很实用，但是它并没有解决这个问题，只是设置了限制。闪存并不是目标，只是一个中间阶段。”

Reger表示：“我认为，随着时间的推移，闪存将成为历史。我们将需要另外一些技术来获得一个新的存储层。”

他认为理想的存储层应该是，当你从一种内存跳到另一个内存再到存储的时候，访问速度也呈现几何式的跳跃。他坦言，从成为一项可用技术的时间上来说相变内存（PCM）是最接近的，相比其他诸如惠普Memristor这样的技术。

其中的一个方面是——假设最终闪存被相变内存或者其他固态存储技术所淘汰，那么专注闪存的技术初创厂商（例如SandForce和Anobit）就会陷入困境。 他们的技术解决了闪存固有的问题，没有闪存的话也就没有人需要他们的技术了。

Reger还指出，全闪存阵列代表了单点优化，也许会火一段时间，但是如今主要问题在于大规模共享。如果我们设想大规模SAN和NAS存储库的话，闪存并不是这些应用的最佳选择。

内存与存储

Reger还有一个关于针对数据库和类似应用的新型内存架构的担忧：“现在挑战变成了我们如何看待数据访问的问题。没有必要使用基于磁盘访问的技术理念，内存数据库在这方面可能更智能一些。”