共 307 篇文章

标签：三星第25页

份额再涨三星继续统治DRAM内存市场

虽然在美国液晶电视市场的领先优势遭到蚕食，但三星在DRAM颗粒高级制造工艺上的投资就得到了回报。根据市场调研公司iSuppli发布的二季度DRAM市场统计报告，三星在保持DRAM市场老大位置的同时继续扩大了自家市场份额。全球DRAM市场二...

三星与希捷将合作开发应用于企业级应用程序的固态硬盘（SSD）并相互授权控制器技术。这两家公司的新闻稿提到了希捷的企业级存储技术，即该公司在硬盘硬盘（HDD）技术上的经验，以及三星的30纳米多层单元（MLC）NAND闪存技术。三星是全球闪存...

为了突破NAND闪存瓶颈，三星和东芝制定了一个新的行业标准。这个新的行业标准则是增加10倍的数据速率。现在所使用的NAND芯片通常是40Mbit / s的单数据速率（SDR）接口。这是个能提供133Mbit / s的双数据速率（DDR）1...

三星近日发布了最新的1TB驱动器ECO GREEN，其可用于先进数码产品中的移动存储。其重量很轻同时也比其他同类产品更加畅销。ECO GREEN规格为2.5英寸，5400转，单碟333GB。这种技术非常适合便携式存储器件，如外置硬盘驱动器、...

三星和东芝完全控制了NAND闪存市场，给其他厂商留出的市场空间非常有限，各厂商第一季度的收入数据如下。下图为市场研究公司iSuppli统计各闪存供应商第一季度营收（以美元为统计货币）的排名情况。从图中显示的情况来看，三星以38.5%的市场...

三星电子宣布，已经成功使用30nm级别工艺(30-39nm)制造出了8Gb容量的OneNAND混合式闪存芯片。OneNAND 是一种高可靠性嵌入式存储技术，在一颗芯片内集成了NAND内核、NOR接口、SRAM缓冲，融合了NAND闪存的高存储...

据国外媒体报道，三星计划于今年晚些时候推出相变内存卡(PCM)，旨在取代当前手机等电子产品所使用的闪存技术。相变内存由相变材料制成，通过加热材料形式来存储数据。与闪存存储相比，相变内存存储数据时更加省电，预计可延长电池续航时间20%。在...

全球领先的数字消费电子和信息技术厂商三星今天发布其STORY Station TM产品套件中运行速度最快的外部硬盘驱动器-配备超速USB3.0接口的三星STORY Station 3.0。与之前的USB 2.0接口速度相比，该款顶级产品线...

据韩国《中央日报》报道，世界著名存储芯片企业三星电子在全球率先推出40纳米级32GB DRAM(动态随机存取记忆体)模块，并计划从4月开始生产该产品。 40纳米(10亿分之1米)工艺是指将芯片内部电路的线幅缩小为40纳米。芯片电路线幅越薄，...

继Intel、美光上个月宣布投产25nm NAND闪存芯片后，韩国两大存储厂三星和海力士近日也宣布了自家的30nm以下工艺NAND闪存投产计划。海力士将采用26nm工艺生产容量为64Gb的NAND闪存芯片，这和Intel、美光首批投产的2...