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标签:三星 第24页

Intel三星东芝三巨头开发10nm制程工艺

日经新闻报道,芯片制造业老大Intel将联手三星、东芝在2016年前将半导体制程工艺升级到近10nm级别。 三星和东芝目前也是世界前两大闪存芯片制造商,他们不久就会与Intel建立联盟,并邀请10家半导体材料和相关领域的的公司参与进来。 该...

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三星:内存芯片价格明年第二季度才会回涨

DRAM芯片价格近期是一路下滑,1Gb DDR3现货价昨天更是跌破了2美元大关。面对内存芯片市场萎靡态势,三星高层认为,这种局面恐怕直到明年二季度才能扭转。 三星芯片部门总裁权五铉表示:“内存芯片价格预计到明年二季度中期才会开始...

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三星硬盘全球出货量达1亿 将超越东芝

日前有业内消息来源透露,受益于在自有品牌笔记本电脑等IT产品领域采用自家硬盘产品的策略,韩国厂商三星电子的硬盘出货量已经出现了重大增长,并且有望于2010年下半年正式超越竞争对手东芝。东芝2009年是全球第四大硬盘制造商,其占据的市场份额为...

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三星开始量产3bit 20nm 64GB NAND闪存

DOSTOR存储在线10月14日国际报道:在今年四月推出32GB 20nm产品后,三星最近宣布量产3bit 20nm 64GB NAND闪存,这加快了20nm设备64GB容量存储发展的步伐。苹果在其iOS设备中广泛采用了三星闪存,这导致人们...

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价格再降 1Gb DDR3现货价跌破2美元

集邦科技的最新监测数据显示,1Gb DDR3芯片价格继续其下滑颓势。截止到昨天,1Gb DDR3芯片平均现货价格已经跌破了2美元大关收于1.99美元,同规格eTT芯片价格为1.74美元。 如果延续这样的下滑趋势,1Gb DDR3芯片价格到年...

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三星最新推出40nm SLC闪存3.5寸固态硬盘

三星日前宣布推出新款企业级3.5寸固态硬盘,采用SLC闪存颗粒,容量100GB或200GB。 该盘主要面向企业级存储系统用作系统盘,基于40nm制程SLC闪存,SATA 3Gbps接口。其连续读写性能为260MB/s读,245MB/s写,随...

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EMC企业级闪存驱动器应用三星NAND

DOSTOR存储在线10月8日国际报道:EMC在企业级闪存驱动器中使用三星NAND,三星继STEC之后成为EMC闪存驱动器的第一个二级来源。 传统上,像EMC这样的存储阵列厂商喜欢有第二个技术来源,比如磁盘驱动器,不喜欢依赖于单个厂商。因此...

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三星四季度量产36nm工艺2Gb DDR3芯片

据报道,三星计划在今年四季度开始量产基于36nm制程工艺的2Gb DDR3芯片,在工艺升级上继续遥遥领先日美竞争对手。随着量产时间表的设定,三星明年使用该工艺的DRAM出货量比重将超过50%。 和三星目前的主要46nm处理工艺相比,36nm...

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三星新一代470系列固态硬盘悄然上市

虽然早先也有过自主品牌SSD销售,但近一段时间三星在固态硬盘市场扮演的角色更多是闪存、控制器芯片的供应商,而非最终产品制造商。或许正是有了避免刺激自家客户的心理,三星新款自主品牌固态硬盘470系列在没有太多官方宣传的情况下,上周末已经在日本...

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份额再涨 三星继续统治DRAM内存市场

虽然在美国液晶电视市场的领先优势遭到蚕食,但三星在DRAM颗粒高级制造工艺上的投资就得到了回报。根据市场调研公司iSuppli发布的二季度DRAM市场统计报告,三星在保持DRAM市场老大位置的同时继续扩大了自家市场份额。 全球DRAM市场二...

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