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标签:三星 第23页

三星继续统治DRAM市场 韩厂狂揽62%份额

存储芯片调研公司集邦科技日前发布了2010年四季度的全球DRAM营收报告,去年四季度DRAM市场营收86.4亿美元,相比三季度的107.8亿美元下降20%。芯片期货价环比下降40%,但产能增长16%。 集邦科技指出,厂商们在生产工艺上的升级...

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样品展示 三星完成史上第一条DDR4内存

三星电子今天宣布,已经完成了历史上第一款DDR4 DRAM规格内存条的开发,并采用30nm级工艺制造了首批样品。 时至今日,DDR4内存的标准规范仍未最终定夺。三星这条样品属于UDIMM类型,容量为2GB,运行电压只有1.2V,工作频率为2...

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年末国际市场MLC NAND闪存价格保持平稳

12月中下旬,国际市场MLC NAND闪存合约价格始终保持平稳,主流的16Gb、32Gb颗粒价格在3 – 3.5美元以及4 – 5美元之间浮动。不过业内人士指出,由于东芝停电事故,以及平板机市场的影响,预计明年一季度...

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飞索状告三星闪存芯片专利侵权案败诉

路透社报道,针对飞索半导体此前对三星等公司提出的闪存芯片专利侵权案,美国国际贸易委员会ITC近日做出裁决,三星等并未对飞索半导体专利构成侵权。 飞索半导体在今年8月对三星提起两项专利侵权起诉,并要求ITC禁止相关侵权产品的销售,苹果、RIM...

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专注闪存 东芝系统芯片生产将外包三星

日经新闻报道,东芝计划将系统芯片生产外包三星,以集中资源发展存储芯片业务。 据悉该计划将从2011财年(开始于明年4月份)实施,虽然生产外包,但东芝仍会参与系统芯片的设计。 为了满足设备小型化和节能需求,东芝此前一直在提升手机、电视和汽车所...

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3D堆叠技术:三星发布绿色8GB DDR3内存

三星电子今天宣布推出全新8GB DDR3 RDIMM服务器用内存条,采用最先进的Green DDR3 DRAM颗粒,使用3D芯片堆叠技术“硅通孔”(TSV)打造而来,而且已经成功通过了主要客户的测试。 三星表示,借助...

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三星成三季度唯一营收增加的DRAM制造商

据国外媒体报道,尽管今年三季度全球DRAM市场或多或少仍然受到了全球经济不景气的影响,但韩国三星公司在当季不仅巩固了自己在DRAM制造行业的领先位置,其更是成为当季中唯一一家实现营收增加的DRAM制造商。 近日市场调查公司iSupply公布...

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三大芯片厂商合作开发10纳米级NAND技术

DOSTOR存储在线11月2日国际报道:英特尔、三星和东芝已经组成联盟,它们将联合开发10纳米级半导体产品,以生产容量更高的DRAM和闪存产品,比如400GB的闪存芯片和速度更快的处理器。 据国外媒体报道,三家厂商打算在不久之后组成联盟,它...

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Intel三星东芝三巨头开发10nm制程工艺

日经新闻报道,芯片制造业老大Intel将联手三星、东芝在2016年前将半导体制程工艺升级到近10nm级别。 三星和东芝目前也是世界前两大闪存芯片制造商,他们不久就会与Intel建立联盟,并邀请10家半导体材料和相关领域的的公司参与进来。 该...

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三星:内存芯片价格明年第二季度才会回涨

DRAM芯片价格近期是一路下滑,1Gb DDR3现货价昨天更是跌破了2美元大关。面对内存芯片市场萎靡态势,三星高层认为,这种局面恐怕直到明年二季度才能扭转。 三星芯片部门总裁权五铉表示:“内存芯片价格预计到明年二季度中期才会开始...

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