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三星新型DRAM让智能机平板机带宽翻三番

三星电子今天宣布了采用Wide I/O接口的新型移动DRAM内存芯片，可为智能手机、平板机带来数倍于当前的带宽，功耗则大为降低。据三星解释，这种新的移动DRAM内存芯片基于50nm级别工艺制造，容量1Gb，每秒可传输12.8GB的数据，而...

DOSTOR存储在线2月18日国际报道：韩国电子巨头三星2010年第四季度DRAM收入高达36亿美元——占市场份额的41.7%。随着2011年DRAM市场正在复苏，三星作为市场龙头，其收益将会更大。根据市场研究公...

存储芯片调研公司集邦科技日前发布了2010年四季度的全球DRAM营收报告，去年四季度DRAM市场营收86.4亿美元，相比三季度的107.8亿美元下降20%。芯片期货价环比下降40%，但产能增长16%。集邦科技指出，厂商们在生产工艺上的升级...

三星电子今天宣布，已经完成了历史上第一款DDR4 DRAM规格内存条的开发，并采用30nm级工艺制造了首批样品。时至今日，DDR4内存的标准规范仍未最终定夺。三星这条样品属于UDIMM类型，容量为2GB，运行电压只有1.2V，工作频率为2...

12月中下旬，国际市场MLC NAND闪存合约价格始终保持平稳，主流的16Gb、32Gb颗粒价格在3 – 3.5美元以及4 – 5美元之间浮动。不过业内人士指出，由于东芝停电事故，以及平板机市场的影响，预计明年一季度...

路透社报道，针对飞索半导体此前对三星等公司提出的闪存芯片专利侵权案，美国国际贸易委员会ITC近日做出裁决，三星等并未对飞索半导体专利构成侵权。飞索半导体在今年8月对三星提起两项专利侵权起诉，并要求ITC禁止相关侵权产品的销售，苹果、RIM...

日经新闻报道，东芝计划将系统芯片生产外包三星，以集中资源发展存储芯片业务。据悉该计划将从2011财年（开始于明年4月份）实施，虽然生产外包，但东芝仍会参与系统芯片的设计。为了满足设备小型化和节能需求，东芝此前一直在提升手机、电视和汽车所...

三星电子今天宣布推出全新8GB DDR3 RDIMM服务器用内存条，采用最先进的Green DDR3 DRAM颗粒，使用3D芯片堆叠技术“硅通孔”(TSV)打造而来，而且已经成功通过了主要客户的测试。三星表示，借助...

据国外媒体报道，尽管今年三季度全球DRAM市场或多或少仍然受到了全球经济不景气的影响，但韩国三星公司在当季不仅巩固了自己在DRAM制造行业的领先位置，其更是成为当季中唯一一家实现营收增加的DRAM制造商。近日市场调查公司iSupply公布...

DOSTOR存储在线11月2日国际报道：英特尔、三星和东芝已经组成联盟，它们将联合开发10纳米级半导体产品，以生产容量更高的DRAM和闪存产品，比如400GB的闪存芯片和速度更快的处理器。据国外媒体报道，三家厂商打算在不久之后组成联盟，它...