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英研发出“电阻性记忆体”新型存储设备

英国研究人员最近报告说，他们研发出一种基于“电阻性记忆体”的新型存储设备，与现在广泛使用的闪存相比，耗电量更低，而存取速度要快上一百倍。电阻性记忆体的基础是忆阻材料，这种材料的特殊性在于，在外加电压时其电阻会发生变化...

三星电子前日表示，它计划在今年年底前开始销售40纳米制程的DRAM芯片，其预计使用能耗大大低于目前PC的芯片。三星公司推出了新一代技术，以扩大其市场的领先地位，内存市场正在经历有史以来最严重的衰退。三星和竞争对手正在尽快向更薄的晶圆挑战以...

DoSTOR存储新闻 5月3日国际报道：惠普的研究人员声称他们现在取得了计算科学史上的一大突破，这项突破将对存储系统产生深远影响。在最近的一期出版的《自然》杂志上，惠普公司的信息和量子系统实验室的工作人员声称他们的研究进入了一个新的领域，发...