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惠普开发下一代存储技术记忆电阻突破

惠普的科学家已经在下一代存储技术，即“记忆电阻”方面取得小的突破。记忆电阻未来将可以取代当前普遍使用的闪存和DRAM技术。在发表于《纳米技术》杂志的一篇论文中，惠普的科学家报告称，他们已经了解记忆电阻在加电操作时的...