镁光与索尼合力研发出大容量高速存储器
近日,索尼和镁光公司宣布其研发小组开发出高速、大容量ReRAM(可变电阻式存储器),该类型存储器填补了DRAM与NAND之间的性能鸿沟,有望提高整体系统性能。 新产品的容量为16Gbit,超过了目前的DRAM,而且具备超过NAND闪存的高速...
近日,索尼和镁光公司宣布其研发小组开发出高速、大容量ReRAM(可变电阻式存储器),该类型存储器填补了DRAM与NAND之间的性能鸿沟,有望提高整体系统性能。 新产品的容量为16Gbit,超过了目前的DRAM,而且具备超过NAND闪存的高速...