三星电子:强化大容量存储器的产品竞争力
4月11日,三星电子表示,从上个月开始,已全面量产高性能10nm级(1nm为10亿分之1m)128Gb闪存。128Gb 3bit MLC闪存是目前储存半导体中容量最大的产品,三星电子通过量产128Gb 3bit MLC闪存,将全面扩大大容量...
4月11日,三星电子表示,从上个月开始,已全面量产高性能10nm级(1nm为10亿分之1m)128Gb闪存。128Gb 3bit MLC闪存是目前储存半导体中容量最大的产品,三星电子通过量产128Gb 3bit MLC闪存,将全面扩大大容量...