单条64GB 全球首个3D DDR4内存量产
三星电子今天宣布,已经开始批量投产全球第一款采用3D TSV立体硅穿孔封装技术打造的DDR4内存条,单条容量高达64GB。 这是主要面向服务器应用的RDIMM条子,上有多达36颗DDR4 DRAM内存颗粒,每一个都封装了4个4Gb(512M...
三星电子今天宣布,已经开始批量投产全球第一款采用3D TSV立体硅穿孔封装技术打造的DDR4内存条,单条容量高达64GB。 这是主要面向服务器应用的RDIMM条子,上有多达36颗DDR4 DRAM内存颗粒,每一个都封装了4个4Gb(512M...