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标签:V-NAND 第2页

三星将TLC闪存引入V-NAND产品线

原标题为:《三星:利用3-bit垂直NAND成功缩减编程时间》 韩国闪存代工巨头三星已经在本届闪存记忆体峰会上宣布,将把3-bit(即TLC)闪存引入其V-NAND产品线。 该产品采用TLC NAND 32层设计,作为三层存储单元、TLC与...

三星首款3D V-NAND固态硬盘开卖

三星最先进的固态硬盘已经开始在Newegg上开卖了,三星表示3D V-NAND闪存芯片技术可以提供更高的性能、耐用性和效率,同时还能减少20%耗电量。 三星的 850 Pro固态硬盘专为工作站和高性能PC设计而生。 基于三星的V-NAND,...