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在英特尔(Intel)、台积电的SRAM仍停留在14纳米、16纳米制程时，三星电子(Samsung Electronics)已抢先研发出10纳米FinFET制程SRAM，这也意味着距离10纳米逻辑芯片量产更近一步。 速度较DRAM快的SRA...

朱 朋博2015-11-22新闻

近日，日本TDK首次展示了新型存储技术MRAM的原型，有望取代如今遍地都是的Flash闪存。MRAM全称磁阻随机访问内存，已经存在一段时间了，但是TDK将其带到了一个新的高度。它以磁荷为数据存储介质，而它的名字来自自旋传输矩，也即是写入数据...

朱 朋博2014-10-13新闻

2013年12月26日存储在线报道：日前，宁波时代全芯科技有限公司正式发布中国自主研发的第一款具有自主知识产权的55纳米相变存储技术，为中国半导体存储厂商在云计算和大数据时代开辟了一条自主创“芯”之路，结束了中国芯片...

朱 朋博2013-12-26技巧