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镁光与索尼合力研发出大容量高速存储器

近日，索尼和镁光公司宣布其研发小组开发出高速、大容量ReRAM（可变电阻式存储器），该类型存储器填补了DRAM与NAND之间的性能鸿沟，有望提高整体系统性能。新产品的容量为16Gbit，超过了目前的DRAM，而且具备超过NAND闪存的高速...

为一个新的主存储技术做好准备吧: ReRam。 NAND闪存在一个小的电子云上保存数据。电荷的存在或不存在(或电荷的强度)告诉我们存储了哪些数据。 ReRam通过改变cell的电阻来存储数据。目前有各种各样ReRam技术正在开发之中，包括相...

当固态硬盘在市场上崭露头角的时候，希捷推出了混合硬盘，通过在搭载大容量缓存的方式来提升机械硬盘的性能。日前，日本中央大学的研究小组已经找到了一个能让固态硬盘性能表现更好而且也很容易实现的方法，那就是混合式固态硬盘。混合式固态硬盘的原理与希...

日经新闻报道，夏普正与尔必达联手开发下一代ReRAM可变电阻式闪存芯片，预计在2013年实现量产。早在2007年，富士通就宣布开发出了这种可变电阻式闪存芯片，它在降低功耗的同时写入速度达到目前手机所用NAND闪存芯片的10000倍。日经...