三星成功开发10纳米FinFET SRAM 10纳米制程量产更近一步
在英特尔(Intel)、台积电的SRAM仍停留在14纳米、16纳米制程时,三星电子(Samsung Electronics)已抢先研发出10纳米FinFET制程SRAM,这也意味着距离10纳米逻辑芯片量产更近一步。 速度较DRAM快的SRA...
在英特尔(Intel)、台积电的SRAM仍停留在14纳米、16纳米制程时,三星电子(Samsung Electronics)已抢先研发出10纳米FinFET制程SRAM,这也意味着距离10纳米逻辑芯片量产更近一步。 速度较DRAM快的SRA...