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标签:DRAM 第3页

DRAM真的要被革命了吗?

  很长时间以来,我们一直在关心什么会取代磁盘,当前来看闪存有着最大的机会。除了闪存,PCM(相变存储)、3D XPoint也是热点。然而,无论闪存还是其它存储介质的创新突破,其创新方向都被认为是对外部存储的有力取代,给大家的感觉是对内存有...

美光在内存市场遭受威胁

全球内存市场三巨头三星、海力士和美光牢牢控制着90%以上的内存市场,不过也正是由于他们具有这么典型的行业寡头特点,所以任何风吹草动都逃不过外界观察和评论。 点击查看大图 内存市场垄断局面有望被打破 据DRAMeXchange报道,全球内存市...

三星量产全球首款20纳米8Gb DDR4服务器用DRAM

全球存储技术领军企业三星电子今日宣布已开始量产全球首款20纳米8Gb DDR4企业级服务器用DRAM。今年下半年适用于DDR4的服务器中央处理器已经上市,此时量产该款DRAM产品将推动高端服务器市场从DDR3向DDR4的转换。 基于20纳米...

干掉闪存 下代MRAM首次展示:快7倍

近日,日本TDK首次展示了新型存储技术MRAM的原型,有望取代如今遍地都是的Flash闪存。MRAM全称磁阻随机访问内存,已经存在一段时间了,但是TDK将其带到了一个新的高度。它以磁荷为数据存储介质,而它的名字来自自旋传输矩,也即是写入数据...

13年官司终了结 美光借收购收入大涨

2014年1月9日存储在线报道:美光(Micron)的业务正蓬勃发展,2014年第一季度收入增长至40.4亿美元。在11月28日结束的这个季度中,美光的收入环比增长42%,同比增长120%。 净收益乍看上去并没有令人印象深刻,大约3.58亿...

国产55纳米相变存储技术发布

2013年12月26日存储在线报道:日前,宁波时代全芯科技有限公司正式发布中国自主研发的第一款具有自主知识产权的55纳米相变存储技术,为中国半导体存储厂商在云计算和大数据时代开辟了一条自主创“芯”之路,结束了中国芯片...

半导体需求蓄势反弹

根据市场研究公司IHS报告显示,全球半导体市场在2013年显著反弹,这在很大程度上是得益于平板电脑和智能手机市场需求的不断增长 。 根据12月3日公布的数字我们看到,动态随机存取存储器(DRAM)市场收入增长35%,而NAND闪存市场收入增...

下一代存储技术 MRAM研发联盟成立

据CNET引《日经新闻》报道,日本、美国的20多家芯片公司组成研发联盟,将共同开发下一代“磁随机存取存储器”(MRAM),有望替代目前的存储方案——DRAM(动态随机存储)。 据悉,包括东京电...

DRAM行业厂商剩三家 美光称霸

谁认为三星是全球领先的闪存出货商的请举手?根据镁光副总裁的说法,他们公司才是NAND闪存行业最大的出货商,比三星和海力士都大。 镁光制造DRAM(动态随机存取记忆体)、NAND和NOR闪存芯片。镁光投资者关系副总裁KippBedard在Ra...