DDR4内存标准关键属性公开:电压仅1.2V
JEDEC固态技术协会今天公布了DDR4内存标准中的部分关键属性,并宣布将在2012年年中正式发布新一代内存标准规范,相比于DDR3取得重大性能提升,同时继续降低功耗。 JEDEC固态技术协会宣称,DDR4将具备一系列创新特性,可带来更快的...
JEDEC固态技术协会今天公布了DDR4内存标准中的部分关键属性,并宣布将在2012年年中正式发布新一代内存标准规范,相比于DDR3取得重大性能提升,同时继续降低功耗。 JEDEC固态技术协会宣称,DDR4将具备一系列创新特性,可带来更快的...
三星电子抢先行动整整三个月之后,另一家半导体大厂海力士(Hynix Semiconductor)今天也宣布下代DDR4内存颗粒、内存条开发完毕。 海力士已经开发出了容量2Gb(256MB)的DDR4 DRAM内存颗粒,以及容量2GB的DDR...
三星电子今天宣布,已经完成了历史上第一款DDR4 DRAM规格内存条的开发,并采用30nm级工艺制造了首批样品。 时至今日,DDR4内存的标准规范仍未最终定夺。三星这条样品属于UDIMM类型,容量为2GB,运行电压只有1.2V,工作频率为2...