数据存储产业服务平台
共 0 篇文章

标签:850

三星850 EVO开启3 bit V-NAND SSD全新时代

全球存储领军品牌三星电子近日发布了其品牌固态硬盘(SSD)产品的最新成员850 EVO SSD,该产品采用三星尖端3bit 3D垂直闪存(V-NAND)技术,性能与耐用性与先前产品相比有大幅度提升,是主流电脑的理想选择。以“性能...

3D堆叠的TLC闪存敢用吗?三星850 EVO来了

三星早在7月初就宣布了新一代高端固态硬盘850 EVO,会采用3D立体堆叠的V-NAND TLC闪存颗粒,但却一直没有正式发布,相关资料也是从未公开。 感谢几家坐不住的美国电商,850 EVO慢慢揭开了面纱。 嗯,2.5寸固态硬盘都是这副模...

三星SM1623:容量提升的两个方式

增加层数和单位空间存储的数据量是三星V-NAND的发展方向,性能明显优于机械硬盘的前提下,容量上升价格降低是闪存推广的一大动力。 继2012年韩国推出首款SAS接口企业级固态硬盘SM1625之后,三星宣布将于近期推出下一代SAS固态硬盘SM...

三星将TLC闪存引入V-NAND产品线

原标题为:《三星:利用3-bit垂直NAND成功缩减编程时间》 韩国闪存代工巨头三星已经在本届闪存记忆体峰会上宣布,将把3-bit(即TLC)闪存引入其V-NAND产品线。 该产品采用TLC NAND 32层设计,作为三层存储单元、TLC与...