三星全球率先推出40纳米级动态存储芯片
据韩国《中央日报》报道，世界著名存储芯片企业三星电子在全球率先推出40纳米级32GB DRAM(动态随机存取记忆体)模块，并计划从4月开始生产该产品。 40纳米(10亿分之1米)工艺是指将芯片内部电路的线幅缩小为40纳米。芯片电路线幅越薄，...
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三星发布40纳米DRAM芯片
三星电子前日表示，它计划在今年年底前开始销售40纳米制程的DRAM芯片，其预计使用能耗大大低于目前PC的芯片。 三星公司推出了新一代技术，以扩大其市场的领先地位，内存市场正在经历有史以来最严重的衰退。三星和竞争对手正在尽快向更薄的晶圆挑战以...