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标签:3D 第2页

后闪存时代离我们有多远?

闪存时代预期将在2020年走向终结,包括电阻式与电子自旋式等存储的最新技术蓄势待发,未来引领其性能更高,速度更快且具有动态存储式定址能力的新闪存,未来将对现有闪存技术全面接盘,由于这些技术的颠覆性我们把他们的未来称作“后闪存时代...

纯正3D V-NAND血统 三星850EVO固态完美呈现

作为首个使用3D V-NAND技术的固态硬盘品牌,三星的不断创新永远都不会让我们失望,从2D闪存技术,到目前的3DV-NAND技术,三星SSD产品完成了一次华丽的升级,同时也开创了闪存技术的革命性变革。近日,三星又全新推出了三星850EVO...

2015年美光将3D NAND芯片全面推向高潮

英特尔公司最近就其3D NAND闪存芯片的发展意图作出了一番宣传。考虑到英特尔基本上依靠与美光合作创立的IMFT推进闪存业务,我们就美光的3D NAND发展规划这一话题与美光公司NAND市场推广负责人Kevin Kilbuck进行了探讨。 ...

三星推3D V-NAND技术的850EVO固态硬盘

作为首个使用3D V-NAND技术的固态硬盘品牌,三星的不断创新永远都不会让我们失望,从2D闪存技术,到目前的3DV-NAND技术,三星SSD产品完成了一次华丽的升级,同时也开创了闪存技术的革命性变革。近日,三星又全新推出了三星850EVO...

英特尔将推出32层256Gb 3D NAND闪存颗粒

在20号下午的投资者网络会议上,英特尔透露其将在明年下半年提供基于3D NAND的SSD产品,技术则是来自该公司与镁光(Micron)在闪存合资企业。据悉,其能够在单个MLC核心“平面”(2D)上堆叠32层、共计 2...

3D堆叠的TLC闪存敢用吗?三星850 EVO来了

三星早在7月初就宣布了新一代高端固态硬盘850 EVO,会采用3D立体堆叠的V-NAND TLC闪存颗粒,但却一直没有正式发布,相关资料也是从未公开。 感谢几家坐不住的美国电商,850 EVO慢慢揭开了面纱。 嗯,2.5寸固态硬盘都是这副模...

优势技术融合:三星量产3D V-NAND产品

过去的几年来,三星的高性价比的SSD在消费级的市场上广受好评,也逐步掌握了越来越多的话语权。两年前,三星推出的第一款TLC NAND产品 840 ,性能一般但是价格还可以。去年的840 Evo在TLC的基础上加入了速度较快的SLC NAND...

单条64GB 全球首个3D DDR4内存量产

三星电子今天宣布,已经开始批量投产全球第一款采用3D TSV立体硅穿孔封装技术打造的DDR4内存条,单条容量高达64GB。 这是主要面向服务器应用的RDIMM条子,上有多达36颗DDR4 DRAM内存颗粒,每一个都封装了4个4Gb(512M...