2月24日，有韩媒称三星电子与长江存储（YMTC）正式签署许可协议，第10代NAND开始采用长江存储的混合键合技术。混合键合技术是400层以上NAND的必备工艺，长江存储作为该技术专利的先行注册者，使得三星提前布局来避免侵权风险。
目前，美国Xperi、长江存储和台积电掌握了大多数混合键合相关专利，成为这一技术领域的核心玩家。
先分享一下晶圆键合技术，长江存储的晶圆键合技术（非堆栈方式），是把一片晶圆上加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路，另一片晶圆上加工存储单元，最终通过数百万根金属VIA(垂直互联通道)将二者键合接通电路。
其优势在于：提高性能：由于减少了信号路径中的金属接触点，电子传输路径更短，降低了延迟并提升了数据吞吐率。
改善散热：减少电流通过焊点的损耗，使得芯片的热管理更高效，有助于延长使用寿命。
提高生产效率：相比传统的TSV（硅通孔）技术，W2W混合键合减少了多个工艺步骤，提高了制造良率并降低了整体成本。
目前，长江存储在NAND封装技术方面建立了自主创新体系，“Xtacking”技术已演进到第四代，即Xtacking 4.x版本，虽然层数目前还没追上前三，但也凭借这项技术在全球NAND市场上具备了更强的竞争力。
此外，三星与长江存储的合作，标志着全球存储市场对混合键合技术的认可。与此同时，另一家存储巨头SK海力士也在积极布局。SK海力士副社长金春焕曾在2024年2月的“Semicon Korea 2024”大会上表示：“我们正在开发一种新平台，在400层级NAND产品中通过混合键合技术提高经济性和量产性。” 这表明，随着NAND层数的不断攀升，混合键合正成为存储芯片制程提升的重要推动力。SK海力士后续也会用混合键合技术。
其实，NAND市场的大佬会采用晶圆键合技术这事儿是有迹可循的，可以给大家捋一捋时间线：
2018年8月，长江存储在闪存峰会上发布了晶栈®Xtacking™ 架构， 并一举斩获大会最高荣誉“Best of Show“——“最具创新初创闪存企业”奖项。
2020年，长江存储的128层系列产品中采用的Xtacking架构升级到了2.0版本。
2022年5月，西部数据曝出的最新闪存技术路线图上也出现了晶圆键合技术，大意是——200层+闪存是面向高容量和高性能的数据中心工作负载设计，采用了类似字符串堆叠的技术，即多重键合（multi-bonding）和PLC（5bits/cell）技术。
2023年3月底，铠侠与西部数据联合推出最新的218层3D NAND技术——采用1 Tb TLC和QLC，有四个平面，据说是采用了先进的横向缩放和晶圆键合技术，能将比特位密度提高50%以上，适用于以数据为中心的应用，如智能机、物联网设备和数据中心。两家公司推出的突破性创新之一是CMOS直接键合阵列 (CBA) 技术。只是218层里没提加PLC技术。
2024年12月，2025年电气与电子工程师协会（IEEE）国际固态电路会议的议程（PDF文件）披露，目前三星已经推出了拥有286层的第九代3D NAND，同时正在研发400层技术。那个演讲的标题是《一款密度为28Gb的4XX层1Tb TLC晶圆键合3D NAND闪存，引脚数据速率达5.6Gb/s》。
三星的第九代芯片采用双层堆叠（字符串堆叠），有2×143即286层，有TLC和QLC两种格式。数据速度最高为3.2Gbps，而新的400多层技术每个引脚支持的数据速度为5.6Gbps，快了75%。这一速度既适用于PCIe 5，也适用于速度翻倍的PCIe 6互连技术。
2025年的今天，三星电子传出与长存的合作。
目前NAND层数最高的是SK 海力士，是321层，其次是三星，286 层，美光是276层。西部数据和铠侠的BiCS工艺是218层，正在开发300多层的BiCS 9代。SK海力士的子公司Solidigm则是192 层QLC技术。长江存储是要推出一款300层的芯片。
未来，更多存储厂商会采用混合键合技术毋庸置疑，围绕专利授权、技术合作的博弈之后的站位是否有变化，我们拭目以待。
