闪迪（SanDisk）近日披露了三款即将推出的新SSD细节，并公布了高带宽闪存（High-Bandwidth Flash, HBF）技术规划，HBF是对标高带宽DRAM（HBM）的NAND解决方案。
分拆在即，闪迪需向投资者证明其业务稳固性。为此，其高管阐述了市场观点、技术趋势和产品战略，表明其技术将持续吸引客户并保持竞争力。
闪迪最新一代3D NAND技术命名为BiCS8，拥有218层堆叠，用于制造容量达2Tb的QLC（四级单元）存储晶圆，据称这是当前量产中容量最高的NAND晶圆。
闪迪还预览了超过300层堆叠的BiCS9技术，将用于生产1Tb TLC（三级单元）晶圆。西部数据/闪迪通常将TLC NAND用于性能型硬盘，QLC用于大容量硬盘。闪迪预测，QLC在消费级SSD市场的份额将持续扩大，PCIe Gen 5的普及率也将提升。
闪迪介绍了三款芯片：
第一个新品为面向PC的QLC硬盘，采用PCIe Gen 4接口，提供512GB、1TB和2TB三种容量。这款大容量硬盘与另一款采用PCIe Gen 5接口、配备高速TLC NAND的性能型PC硬盘（容量512GB至4TB）于今年晚些时候上市。相关性能数据已在演示文稿中展示。
闪迪还预览了专注于大容量的数据中心级硬盘UltraQLC DC SN670，UltraQLC”的控制器配备了硬件加速器、支持扩展至64通道、可按负载需求动态调节功耗，还有集成式的先进切换模式（Toggle Mode）总线多路复用控制技术。
切换模式Toggle Mode NAND可以利用双倍数据速率接口加速传输，并利用多路复用器（Mux）管理数据通道，这些改进将更高效地管理NAND-SSD控制器数据流。
SN670采用PCIe Gen 5总线，标称容量64TB/128TB，计划2025年第三季度上市。Solidigm和群联（Phison）去年11月也发布了122.88TB SSD。
闪迪展示的企业级SSD容量演进路线图显示：2025年达128TB，2026年256TB，2027年512TB，之后将突破1PB（具体年份未公布）。
未来技术方面，闪迪提出“3D矩阵存储器（DRAM）”以解决内存墙（内存容量与带宽失衡）问题，正与比利时微电子研究中心（IMEC-是一个专注于纳米科技的世界领先研究中心）合作开展4-8Gbit容量的CMOS开发项目。
闪迪提出的HBF（高带宽闪存）概念旨在优化NAND带宽性能，声称能以同等成本实现与HBM相当的带宽，同时容量提升8至16倍。
在堆叠结构中，HBM DRAM层将部分或全部被NAND层取代，通过逻辑晶圆和中介层连接主机GPU/CPU/TPU。例如，8层堆叠方案中：6片512GB NAND晶圆 + 2片HBM晶圆，总容量3.12PB；而传统8层HBM芯片总容量仅192GB。
全HBF的8层堆叠容量可达4PB。闪迪称，1.8万亿参数、16位权重的LLM需3.6PB内存，可装入8层HBF芯片。若手机搭载HBF芯片，则能运行640亿参数的混合专家模型（MoE）。HBF计划发展三代：第二代容量和读取带宽分别为初代1.5倍和1.45倍；第三代两项指标均翻倍，且能效逐代提升。
HBF与HBM非完全兼容，但电气接口相同，“仅需少量协议修改”。闪迪计划推动开放HBF标准生态，并组建由“行业领袖与合作伙伴”组成的技术顾问委员会。
如果美光、三星或SK海力士等厂商也采纳HBF的技术理念，或将催生出近存储级内存（Near-Storage-Class Memory）概念。
