近几年随着笔记本电脑、平板电脑、智能手机的兴起，DIY台式机玩家不断涌向移动互联产品，懂得超频的人越来越少。大多数用户在装机时只看品牌和价格，对性能要求不高。可即便是在这样的市场氛围中，依然存在一批对超频情有独钟的老玩家，他们一如既往的用尖锐的眼神，审视着鱼龙混杂的内存行业。
疯狂的超频爱好者正在备战
对超频玩家来说内存不光是保证电脑稳定运行的配件，更是决定超频成败的关键一环。每款内存在他们手中，都可能成为所向披靡的超频利器。当然，一款内存能否成为超频英雄，与内存芯片品质是密不可分的。品牌内存芯片出厂必须严格经过，前工序、后工序和检测工序三个阶段。这关系到内存与主板的兼容性，也决定了平台超频的高低和是否稳定。另外，内存芯片纳米技术的提高，也是觉得平台在低功耗，低电压下能否超常超频的因素。
超频成败与内存芯片品质密不可分
早在去年三星就发布了原厂30纳米内存，预计2012年投入量产。一年过去了如今三星原厂1600 4GB 30纳米工艺内存，已经在市场上广泛铺货。不过比起金士顿、威刚、宇瞻这些内存品牌的名声，三星内存还稍逊一筹。多数用户仍喜欢选择金士顿内存装机。但在部分游戏玩家和超频爱好者眼中，三星裸条具备的实力远远高于它的知名度。毕竟30纳米级产品和40纳米在超频性能上，存在不小的差距。今天我们就从超频性能出发，用老将级别的金士顿1600骇客神条，与三星30纳米1600内存进行一下对比。
三星30纳米裸条对抗金士顿40纳米神条
三星原厂30纳米4GB DDR3-1600MHz内存，为三星绿色节能内存条，具有低功耗节能的与众不同特点。目前这款产品的市场价格为165元，与金士顿DDR3 1600 4GB骇客神条价格接近。下面我们就通过超频测试来看看，30纳米产品与40纳米产品的差距。
超频平台及测试软件介绍：
三星30纳米DDR3 1600内存超频体验：
三星30纳米DDR3 1600内存超频至2133频率
2133频率下内存电压仅为1.5V
我们都知道30纳米内存与40纳米内存相比，最明显的就是低功耗低电压，这一点尤其体现在超频上。当内存频率提升至2133MHz时，内存无需加压只需要通过BIOS简单设置。
三星30纳米DDR3 1600内存轻松超至2133频率
AIDA64内存速度测试：
内存速度测试
在AIDA64内存测试中，三星30纳米DDR3内存2133频率下读取速度为15196MB/s，写入速度为16716MB/s，拷贝速度可达到14764MB/s，内存延迟速度为44.1ns。
GO-SP2004稳定性测试
此时当三星30纳米内存达到2133频率时，CPU在满载情况下完全可以稳定运行，这也证明超频并没有影响整体平台的稳定。此时我们的计算机速度得到了进一步提高。
金士顿40纳米DDR3 1600骇客神条超频体验：
金士顿40纳米1600内存超至2133频率
2133频率下内存电压达到1.65V
同样是从1600MHz超到2133MHz，三星30纳米内存所用电压仅为1.5v，金士顿骇客神条就需要加压到1.65v。功耗增加温度也会上升，虽然都属于正常值范围，不过1.5v更有利于平台的稳定。
1.65v电压下金士顿1600MHz骇客神条超至2133频率
AIDA64内存速度测试：
内存速度测试
在AIDA64内存测试中，金士顿40纳米DDR3内存2133频率下读取速度为11796MB/s。写入速度为9389MB/s，拷贝速度可达到10529MB/s，内存延迟速度为44.4ns。
GO-SP2004稳定性测试
测试对比及总结：
尽管我们的超频体验只是在常规环境下进行，并没有达到产品的极限数值。但是30纳米内存与40纳米内存超频差距已经很明显，当两款内存频率均达到2133MHz时，三星30纳米产品电压仅为1.5v，而金士顿40纳米产品要加压到1.65v。
虽然只是0.15v的差距，但长时间工作下，平台功耗和温度会发生较大差别。高电压不但不利于平台的稳定性，对专业超频者来说还有可能与理想值擦身而过。
30纳米 VS 40纳米内存速度对比
在内存基础性能上也可以看出，30纳米颗粒内存无论是读取、写入、拷贝速度均领先同频率40纳米产品。
内存延迟速度对比
通过三星30纳米裸条与金士顿40纳米神条的对比，大家可以看出在超频上两者存在的差距。这一点对超频玩家来说尤其重要，而主流用户在不超频的前提下，在使用中不会感觉有大的差别。不过这对笔记本电脑用户来说，就不一样了。
三星30纳米内存同样拥有笔记本产品，低电压低功耗在笔记本电脑中则会有明显差距。这关系到笔记本的散热及耗电量，目前三星30纳米4GB 1600笔记本内存价格在170元上下，与同等频率和容量的笔记本产品相比，超值的性价比同样显著。
