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长江存储冲破技术封锁,232层QLC 3D NAND密度优势明显

外媒报道称,尽管受到了严密的制裁,但长江存储还是推出了先进的232层QLC 3D NAND。

加拿大芯片分析公司 TechInsights 在 1 TB的致钛Ti600 SSD中发现了长江存储的芯片,利用逆向工程和扫描技术发现了这一新技术。

致钛Ti600是2023年7月份推出的,这是一款M.2 2280的盘,采用的是QLC介质,最高容量达2 TB。

致钛Ti600采用了 NVMe 2.0协议 和 Gen 4接口,读取速度高达 7000MB/s和6000MB/s,在五年保修期内可提供 800 TBW 的耐久性。

在 2022 年 8 月举行的FMS闪存峰会上,长江存储展示了 232 层 TLC NAND芯片(X3-9070 TLC)。

美国芯片法案试图阻止美国供应商向中国输出一些技术,以防止像长江存储这样的公司制造 128 层或更高的 3D NAND,目前看来并不太奏效。

TechInsights 还公开了长江存储 232 层 QLC 芯片的扫描图像:

TechInsights宣称,这是见过的首款有效字线数超过 200 条的 QLC 3D NAND 裸片。芯片的位密度为 19.8 Gb每平方毫米,这是目前看到的密度最高的商用固态硬盘。

目前,铠侠和西数的3D NAND层数是218层,三星是236层,SK海力士是238层,美光则是232层,业界大厂都进入到了200层的时代。

TechInsights此前有一份报告分析了长江存储232层 TLC NAND芯片,它被用在海康威视CC700 2TB SSD中。

TechInsights 表示:“就像华为 Mate 60 Pro 手机用的海思麒麟 9000s 处理器(采用中芯国际 7 纳米(N+2)工艺)中揭示的创新一样,越来越多的证据表明,中国突破出口限制,建立自己的国内半导体供应链的发展势头比预期更加成功。”

TechInsights还认为,当前的闪存存储市场有些低迷,一些颗粒大厂用各种方法缩减成本,这给了长江存储机会,趁此时机推出更高密度的存储芯片。

如果 TechInsights 的观点是对的,那么长江存储可视为 3D NAND 制造领域一支不可忽视的力量。

TrendForce 去年 12 月曾表示,由于美国的限制,长江存储可能会退出 NAND 市场。

现在看来这种可能性不大,如果长江存储 232 层QLC 芯片产能充足的话,中国市场上的国际NAND友商将面临更大挑战。

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