国外分析机构IC Insights预测称，今年NAND闪存的资本支出将增长8%达到299亿美元，超过2018年的278亿美元。2017 年，闪存资本支出飙升，当时该行业向3D NAND转型，此后每年都超过200亿美元。 2022 年，闪存的资本支出预计将增至299亿美元，因为无论大小型供应商都将保持适度激进的支出水平。
2022年闪存资本支出
299亿美元的支出占2022年整体IC行业资本预测支出1904亿美元的16%，仅次于晶圆代工厂部分，预计后者今年将占行业资本支出的41%。
近期新升级的NAND闪存工厂包括三星的Pyeongtaek 1、2生产线（也用于DRAM和代工）；三星在中国西安的二期投资；铠侠在日本岩手的Fab 6和 Fab K1晶圆厂；美光在新加坡的第三家闪存厂。此外，SK海力士为其M15工厂的剩余空间配备了NAND闪存。
在预测期内，随着NAND闪存供应商准备从2022年底到2023年进入200层以上闪存芯片的产能竞争，将需要新的晶圆厂和设备。三星和美光可能是首家今年晚些时候就开始量产200层NAND的公司。两家公司及SK海力士目前都在量产176层 NAND。三星位于中国西安的晶圆厂是（或将成为）领先NAND的关键制造基地，拥有2家晶圆厂，每家晶圆厂全面投产后每月可生产 120,000 片晶圆。随着对企业存储应用的日益关注，SK hynix 预计将在2023年迁移到196层。
