今天，随着智能手机应用与数据量的高速增长，用户对于闪存存储的性能和容量要求越来越高。芯片制程、架构和算力算法的精进也让嵌入式存储器在性能和容量上不断实现突破。近期，西部数据正式对外发布了iNAND MC EU551嵌入式闪存器件，这款专门为智能手机定制的新产品，在为用户提供了超高分辨率相机、增强现实/虚拟现实、游戏和8K视频等新兴应用所需的高性能存储的同时，也以最大512GB的存储容量，很好的满足了用户的存储需求。
西部数据公司中国及亚太区副总裁Stefan Mandl表示，随着5G、人工智能、创新传感器等新兴技术的应用普及，用户对于智能手机的性能和容量提出了更高的要求。借助UFS 3.1 iNAND解决方案和 iNAND MC EU551 嵌入式闪存器件，西部数据助力用户自如运行大数据量的应用并实现更快的传输，充分享受游戏、工作和学习的全新体验。
新技术新应用加持，嵌入式闪存迎来新挑战
如果说智能手机处理器芯片上的突破使得其具备了更强的算力，那么5G、AI等新兴技术也让智能手机的应用范围更加广泛，同时也给用户带来了更好的使用体验。不过，不断增长的应用程序和爆炸式增长的海量数据，也给手机存储的性能和容量提出了更高的挑战。
西部数据公司中国区智能终端产品事业部高级销售总监文芳表示，随着5G的迅速普及，越来越多的应用会被开发出来，对闪存提出了更高的要求。她表示，在智能手机的随机读写上，闪存性能将会直接影响到开关机、APP启动和系统调用三大典型应用;在顺序写入上，闪存性能将直接影响APP的下载与安装，此外对于诸如视频剪辑等应用，也会产生较大的影响。
在容量方面，4K、8K等视频文件，对于存储容量提出了更高的要求。除此之外，越来越多的游戏、APP等等，也对手机存储容量带来了更高的挑战。文芳表示，虽然用户可以把数据搬到云上，但这样会极大的影响用户的使用体验，况且大部分用户即使将数据存放在云中，也是为了对数据进行备份，这也是手机存储容量从之前的4GB、8GB到现在主流的128GB、256GB，甚至512GB的根本原因所在。
实际上，这也是西部数据正式推出全新iNAND MC EU551嵌入式闪存器件的主要原因。不过，iNAND MC EU551嵌入式闪存器件并不仅仅应用于智能手机这一产品中，在诸如物联网等设备当中，都能够为其提供更高的性能和更大的容量，很好地满足用户的各种苛刻需求。
随机性能提升100%，带来更佳用户体验
西部数据iNAND MC EU551嵌入式闪存器件基于第二代UFS 3.1规范，融入了第六代iNAND SmartSLC缓存加速技术和Write Booster写入加速技术，可实现令人惊叹的1550MB/s顺序写入速度，且容量满载时也不会掉速。
为了保证拥有更高的性能，iNAND MC EU551嵌入式闪存器件还采用了更高效的控制器和优化的固件设计，拥有双电压、热保护以及HBP2.0 (主机性能加速器)等诸多先进特性。数据显示，和上一代产品相比，iNAND MC EU551嵌入式闪存器件的随机读取性能提升约100% ，随机写入性能提升约40%，顺序写入性能提升约90%，顺序读取性能则提升了约30%。
西部数据公司产品市场部高级产品市场经理宋学红表示，闪存的性能包括顺序读写和随机读写两个部分。与上一代产品相比，iNAND MC EU551嵌入式闪存器件顺序读从1500MB/s提升至2000MB/s，顺序写从800MB/s提升至1550MB/s。另外，在随机读方面，从60K IOPS 上升到 140K IOPS ，在随机写方面，从90K IOPS 上升到140K IOPS，都有大幅度地提升。
由于随机读取和随机写入衡量的是混合工作负载也就是多应用并行处理的速度，因此有了如此大的性能提升，用户在使用智能手机进行各种操作时，能够得到更好的使用体验。比如，同时运行微信、office和支付宝，能够获得更流畅的体验。另外，由于顺序写入有利于以更快的速度下载超大文件或者视频，还能有效提升拍照的连拍性能，因此用户在下载、安装APP和游戏时，或者是在用手机拍摄高清照片时，能够带来更好的响应速度。
除此之外，由于iNAND MC EU551嵌入式闪存器件拥有惊人的1550MB/s顺序写入速度，这就意味着其可大幅提升5G和Wi-Fi 6的下载速度，尤其是应对8K视频等富媒体文件时拥有更好的体验。而顺序读取性能则直接关系到应用的启动和加载速度。诸如游戏和视频处理等超大型的APP，内置了很多插件和特效，加载时要等上较长的时间，这时候顺序读取性能强的，就能以更快的速度打开和启动，从而减少等待时间。
谈到兼容性问题，宋学红表示， 在iNAND MC EU551嵌入式闪存器件的产品测试中，已经完全考虑到了游戏手机，大型游戏、主流游戏都经过运行测试，保证所有游戏能够非常流畅地使用。
文芳则表示，在iNAND MC EU551嵌入式闪存器件的研发过程中，西部数据就已经与很多客户进行了沟通，并在性能上跟他们的产品进行了充分的匹配。目前，西部数据的头部客户都已经在测试iNAND MC EU551嵌入式闪存产品，西部数据将根据客户产品发布时间，随时进行量产。
借助第六代162层BiCS 3D闪存技术，容量高达512GB
此次西部数据发布的新一代iNAND MC EU551嵌入式闪存器件，共包含128GB、256GB和512GB三大容量标准，均采用了与Kioxia铠侠联合研发的第六代162层BiCS 3D闪存技术。
与其它3D闪存技术相比，虽然西部数据与Kioxia铠侠联合研发的第六代162层BiCS 3D闪存技术在层数上并不是最高的，但仍然是行业顶级的技术水平。正如文芳在采访中强调的那样，存储性能和NAND的先进性并不只简单取决于层数，准确的定义是，层数和每层更高效率的乘数，才是更为可靠的衡量方式。
从第六代162层BiCS 3D闪存技术特点来看，其相比上一代的112层，芯片尺寸减少了约40%，横向密度增加了约10%，在同样的300mm晶圆上可以多生产70%的容量，直接大幅降低了闪存成本。
宋学红表示，西部数据拥有自己的闪存颗粒，从BiCS4到BiCS5再到BiCS6，除了单个die容量增加之外，通过对性能的调校，得到了最佳的性能表现。同时，通过对外围电路设计的优化，不断提高闪存颗粒的I/O性能，让其拥有更高的访问速度。正是由于西部数据的技术创新和领先的闪存技术，才能真正驱动着数据和存储性能不断向更高层级迈进。
本文作者：51CTO 张诚
