DOSTOR存储在线3月14日国际报道：相变存储（Phase-change memory，PCM）的地位似乎正在发生变化，以前它是一种发展前景光明的新生技术，现在马上要面临众多的替代技术。
相变存储是一种涉及到内存单元的硫族化物层的材料状态和电阻的变化的存储技术。从理论上来说，这种技术具备不可易失性、可精确寻址性以及高密度等几项优势。但实践证明，这种技术很难商业化。这种技术存在一些问题，花了很多年还没有完全解决，在90纳米和60纳米等相对较大的制程工艺下只能生产出低密度的产品，产品消耗的功率显然也比较大。
与此同时，NAND闪存的生产工艺已经达到低于30纳米制程，可能很快就能达到低于10纳米的制程。
目前市场上有两家PCM开发商：一家是收购了Numonyx的美光科技；另一家是三星。它们在开发PRAM产品的同时，还必须与其他的新生技术竞争，比如Resistive RAM和惠普的Memristor等。事实上，NAND技术还可以使用很长一段时间，PRAM的替代技术有足够的时间来完成研发和推出，从而削弱PRAM技术的创新优势。
我们认为，三星已经推出了一定数量的512Mbit PRAM设备，但它和美光科技都还没有推出过1Gbit容量的芯片。美光科技原本打算在去年推出Numonyx 1Gbit设备，但最终未能如愿，它的那款产品使用的是45纳米制程工艺，三星的1Gbit产品使用的是58纳米的制程工艺。
美光科技EMEA地区高管史蒂夫麦克唐纳（Steve MacDonald）在CeBIT展会上表示，美光科技将继续开发PCM技术，最终用它替代入门级NOR应用中的NOR，现在在内嵌设备市场上已经出现了串行和并行PCM。我们相信，NAND的生产技术工艺将在未来5年内发展到低于20纳米的水平上，至于何时能发展到低于10纳米的水平，我也说不清楚。 "
他说："三星已经宣布推出了PCM产品，但我们还没有看到具体的产品推出来。"
三星上个月在旧金山召开的2011年国际固态电路会议上谈到了它的PRAM产品，它表示OEM厂商在从闪存向PRAM迁移时面临着一个两种技术不兼容的难题。但业内人士认为OEM厂商们还面临着一个更大的难题，即与现有闪存组件相比，PRAM并不能为OEM厂商们提供更有价值的东西，OEM厂商们可能要到2017年以后才会使用PRAM技术。
像Anobit的数字信号处理控制器那样的技术、解决耐久性有限难题的超额准备以及针对闪存优化的系统软件可以让NAND技术一直存在到PRAM技术也被淘汰的时候。
由于美光科技和三星已经对这项技术投资了数百万美元的资金，它们很难决定是否放弃PRAM而转向其他的技术。对于它们两家厂商来说，也许合作研发比相互竞争要更好一些。
