近日，武汉新芯集成电路制造有限公司（简称“武汉新芯”）与西安紫光国芯半导体有限公司（简称“西安紫光国芯”）开展专业领域纵深合作，其自主开发的3DLink™技术赋能西安紫光国芯异质集成嵌入式DRAM (SeDRAM) 平台，加速行业技术创新实现重大突破：异质集成嵌入式DRAM (SeDRAM)技术达到目前世界领先水平，相关技术论文已被IEDM 2020、CICC 2021成功录取，在IMW 2021也做了专题报告。武汉新芯基于全新的三维集成技术平台(3DLink™)，实现了多款可定制化开发的工艺解决方案进入量产。
西安紫光国芯通过代工合作的方式使用武汉新芯晶圆堆叠技术3DLink™设计SeDRAM平台，将DRAM晶圆和其他不同工艺节点的逻辑晶圆利用Cu-Cu（铜-铜）互连的方式直接键合，实现对存储器的直接访问。通过定制的DRAM支持多种容量（64MB、128MB、256MB到8GB）和多种带宽；同时为不同逻辑工艺提供标准化接口和测试用IP，使SoC集成更加简单快捷。武汉新芯3DLink™技术突破传统封装级Micro-bump互连架构的限制，通过多片晶圆直接键合，达到高密度互连，实现从逻辑电路到存储阵列之间每Gbit高达34GB/s的带宽和0.88pJ/bit的能效。基于SeDRAM平台的两款SoC产品已经在武汉新芯大规模量产。
“在传统的计算机体系结构中，计算单元和存储器之间带宽的鸿沟（即存储墙问题）日益严重。西安紫光国芯的SeDRAM技术利用武汉新芯的3DLink™晶圆堆叠技术平台，创新地将逻辑晶圆和DRAM晶圆直接键合，给业界提供了领先的超大带宽、超低功耗内嵌存储器解决方案。公司凭借多年来的DRAM开发量产能力和SoC设计服务能力，持续创新，提出了并行高效的存储架构，让SeDRAM平台迸发出业界极具竞争力的单位带宽和能效。同在紫光集团旗下，西安紫光国芯与武汉新芯多年来始终保持紧密、默契的友好合作关系。未来，公司还将持续推进更深层次的合作，为人工智能（AI）和高性能计算（HPC）等领域的超大带宽、超低能耗需求提供快速有效的量产方案。”西安紫光国芯常务副总裁江喜平说道。
“SeDRAM平台的成功设计以及多核SoC的高效开发，是双方通力合作并深入挖掘3DLink™技术平台优势和潜能的结果。”武汉新芯COO孙鹏表示，“西安紫光国芯SeDRAM平台对带宽、算力、功耗等有很高的要求，如果采用先进制程工艺来实现理想的性能，不但成本高昂且还难以保证供应的稳定性，而武汉新芯三维集成技术平台3DLink™可使得这一问题迎刃而解。作为“超越摩尔”的新思路，武汉新芯3DLink™技术平台利用纳米级互连技术，以创新的架构，让客户选用成熟工艺制程即可实现卓越的产品性能。未来我们将深入开展与合作伙伴的联合定制化开发，将3DLink™技术平台的价值不断提升，更高效地为客户提供有竞争优势的产品解决方案。”
