美光总裁兼CEO Sanjay Mehrotra在Computex上宣布，美光将发布采用176层3D NAND的PCIe 4.0 SSD，还有性能更高的智能车载系统NAND芯片，以及密度更大的DRAM内存。
去年十一月，美光宣布出货176层3D NAND芯片，与上一代的96层3D NAND相比，容量提高了近2倍，但成本提高却不到2倍。
三款176层3D NAND的PCIe 4.0 SSD
此次发布的有两个PCIe 4.0硬盘，包括2450和3400，都是现有2300的后续产品，都采用了M.2的规格。
2450适用于轻薄笔记本电脑，有256GB、512GB和1TB容量三种规格，有22×30, 22×45和22×80三种M.2尺寸。2450使用的是主机内存缓冲技术，盘上没有配备DRAM。
3400定位在性能更高的PC工作站、游戏电脑和高端台式机，容量规格有512GB、1TB和2TB可选，外形尺寸采用的都是22x80mm。
我们准备了一个性能表，将2450、3400与之前的2300及其PCIe gen 3总线连接进行比较。它显示了PCIe 4总线带来的速度提升，以及更新的NAND带来的耐久性：
2450具有与2300相似的随机读写IOPS表现，但在顺序读写性能方面2450更好，读带宽增加了9%，写带宽增加了11%。耐久性方面两者也相差不大，只有256GB版本的TBW从150TB增加到了180TB。
3400的IOPS提升则更为明，最大随机读IOPS从43万飙升到了72万，写入IOPS从50万飙升至70万。顺序带宽也翻倍到了6.6GB/秒，写入速率也几乎翻倍至5GB/秒，而耐久性则与2300一样。
2450和3400都支持TCG Opal 2.01和Pyrite 2.01安全标准以及AES-256位加密。这两款产品对标三星PM9A3和980 Pro，对标铠侠XG7，希捷的FireCuda 520，西部数据的Black SN850。
UFS 3.1车载存储芯片
美光正在出样128GB和256GB的车用UFS 3.1闪存解决方案，采用的是96层3D NAND，未来很有可能出现176层3D NAND的UFS 3.1闪存方案，
UFS 3.1的读取性能是UFS 2.1的2倍，有助于实现快速启动，并减少数据密集型车载娱乐系统和高级驾驶辅助系统（ADAS）的延迟。它还提供了50%的持续写入性能，以满足3级以上ADAS系统，黑匣子的传感器和摄像头对于存储性能提出的挑战。
更先进工艺的DRAM内存
美光近日还宣布本月开始出货采用1αnm工艺节点的DRAM内存芯片，主要面向客户端和移动端市场。众所周知，从1x、1y、1z、1α一代比一代先进，容量密度和性能更高，功耗越来越低。
美光表示，与此前的1z工艺节点相比，内存密度提高了40%，功耗降低了20%。此外，美光在近日还宣布完成了1αnm工艺节点DRAM内存在AMD第三代霄龙处理器和其他数据中心平台上的验证。
