本周，日本芯片制造商铠侠开发了162层的NAND闪存。这是铠侠和西部数据联合开发，BiCS 3D NAND技术的第6代产品，该产品有162层，比上一代112层NAND的裸片（die）缩小了40%。 单位比特成本降低。两家供应商没有透露具体降低了多少，但称每个晶圆（wafer）制造比特位比第五代提升70％。
西部数据技术与战略总裁，Siva Sivaram列举了第六代产品的特性——可靠性和成本优势。新一代产品引入了“垂直和横向缩放方面的创新，在更小的裸片中以更少层数实现更大的容量”。
block&file认为产品将在2022年第一季度发布并投入使用。
不过两家公司并未说明使用第6代BiCS NAND可以获得的容量，或者何时出现使用该技术的SSD。
与第5代相比，第6代BiCS NAND改善了各种参数：
单元阵列密度提高10％；
通过4-plane操作，程序性能提高了近2.4倍；
读取延迟降低10％；
IO提高66％；
162层的数量比第5代增加了44％。两家公司并没有说裸片是不是通过字符串堆叠的方式实现的，即两个81层叠加。（个人觉得应该是字符串堆叠）
为了提高闪存的产量，铠侠和西部数据计划今年春季在日本四日市开始建设一个1万亿日元（合94.5亿美元）的工厂。他们的目标是在2022年使第一批生产线上线。
铠侠在日本北部现有的Kitakami工厂旁边也收购了很多工厂，因此可以根据未来需求根据需要扩大产能。
目前，有三家NAND供应商开发了3D NAND，美光，SK海力士和三星都先后取得了176层的首位排名，英特尔是144层，长江存储是128层。随着英特尔卖出NAND部门，英特尔的未来发展将移交给SK海力士。
2019年8月，SK海力士公布了500层甚至800层以上的技术路线图。据了解，其他供应商也有类似的内部路线图。铠侠和西部数据在2020年1月发布了112层BiCS。基于行业趋势及 铠侠和西部数据的实际层数增加，预计2022年第7代BiCS可能发布250层以上。
