从磁盘到闪存盘，主流存储介质正在发生翻天覆地的变化。从2D到3D，从64层、96层、128层、144层到176层，从MLC、TLC到QLC，NAND制程工艺和技术发展日新月异面对产品技术的不断变化，如何才能够跟上时代发展的步伐?
美光执行副总裁兼首席商务官Sumit Sadana先生有关“美光 2021 前沿科技分享与市场研判”的主题演讲，从美光战略发展的高度，为我们提供了管中窥豹的机会。
Sumit Sadana指出：未来十年将是令人振奋的十年，展望2021年，全球GDP增长约5%，而根据不同分析师预测，半导体产业预计增长可达12%，整个产业金额将达5020亿美元，其中内存、存储增长预计可达19%，产值1460亿美元。也就是说，半导体产业将会超过全球GDP增速。
“内存、存储也是在过去二十年增长最快的半导体技术，这里的所说的存储专指NAND，并不包括磁盘等存储产品。为此，应该将注意力集中在DRAM和NAND技术发展。” Sumit Sadana说。
1α制程DRAM独领风骚
与NAND存储相比，内存，也就是DRAM增长更快，美光由于技术上领先，让他们对未来充满信心。
美光是率先使用1z制程工艺，生产DRAM并实现量产的第一家公司。1月27日，美光又宣布了更为先进的1α制程工艺，同样实现了DRAM量产。相比1z制程产品，1α可使DRAM密度提升40%以上，同时拥有非常好的低功耗特性，适用于智能手机、汽车等场景应用。
如今1α 制程DRAM产品容量密度为8Gb ～16Gb，在美光位于台湾地区工厂进行批量生产，如今已经出货的产品，主要应用在计算市场的DDR4以及英睿达(Crucial) 消费级 PC DRAM 产品，与此同时，美光也已开始向移动客户提供 LPDDR4 验证样片。
按照产品路线图，从1α到1β、1γ、1δ，不同制程工艺技术的DRAM产品，美光都在投入研发，高-k CMOS、EUV极紫外光技术都在未来计划中。
对于DRAM，另外需要关注的是独立显卡(GPU)所使用的GDDR6X，NVIDIA GeForce RTX 3090 和 GeForce RTX 3080如今都搭载和使用了GDDR6X，系统带宽1 TB/秒，用于满足沉浸式、高性能游戏的应用体验和需求。
此外，HBM是DRAM另一个重要技术方向。类似NAND演进历程，DRAM也在经历从2D-3D的变化，用于满足HPC、AI训练应用等对容量、高带宽的需求。
176层3DNAND新阶段
在NAND存储方面，3DNAND堆叠能力企业市场竞争力的关键。目前美光已经发展到176层3D NAND，也是目前实现量产的最先进NAND制造技术。
美光176层3DNAND技术结合了第二代替换栅极、电荷捕获以及美光 CMOS 阵列下架构(CMOS-under-array, CuA)，也可以使用在QLC 产品中，也就是每一个单元存储4个bit数据，称为QLCNAND。据了解，近半数SSD客户都在尝试使用QLC技术，以追逐更好的GB/$成本。
与上一代产品相比，176 层 3D NAND 将数据读取和写入延迟缩短了 35% 以上，此外美光176 层 3D NAND 采用紧凑型设计，裸片尺寸比市场最接近同类产品缩小近 30%，适用于满足智能手机、汽车等应用市场。
存储芯片领域，3D XPoint同样需要关注。
相比NAND，3D XPoint的角色定位是SCM(存储级内存)领域，作为DRAM的替代或者补充，搭配NAND存储使用，满足多样化存储系统设计的需求。3D XPoint与3D NAND相辅相成。
小结
从DRAM到NAND，从NAND到3D XPoint，美光的技术路线代表科技最新的发展水平。对于用户来说，跟上技术发展的步伐，就把握住市场先机。
跟上了美光，站在巨人的肩膀上，这是跟上时代最简单的办法，对吗？
