任何美光能做的事，SK海力士都认为自己能做的更好。近期SK海力士宣布了自己的176层3D NAND技术，最近几周向SSD控制器公司发送了512Gb TLC（每单元3比特）芯片样品。
上个月，美光开始批量生产176层 NAND，因此比SK海力士和三星有几个月的优势。后者表示将在明年第二季度发售176层 NAND。
SK海力士表示将在明年年中之前为移动产品发售176层SSD，与128层产品相比，其最大读取速度将提高70％，最大写入速度提高35％。
消费类和企业级SSD将在2021年晚些时候面世。SK海力士也将使用176层技术开发1Tb芯片。 有业内人士认为可能会采用QLC（每单元存储4比特位）技术来获得33％的容量增长，其余部分来自176层中每层的更多单元。
SK海力士 NAND开发负责人Jung Dal Choi发表声明，NAND闪存行业正在努力改进技术来同时实现高集成度和最高生产率。SK海力士将以业界最高的生产率和技术引领NAND闪存市场。
为了证明这一点，SK海力士增强了其176层产品的性能和技术优势。例如，该公司声称：
与SK海力士的128层技术相比，比特生产率提高了35％。
通过采用2分区单元阵列选择技术，单元读取速度比128层NAND提高了20％。
数据传输速度也提高了33％，达到1.6Gb/s。
SK海力士说的“ 4D NAND”指的是为单元堆叠底层的裸片放置外围CMOS逻辑电路，和美光一样。这有助于减少芯片所占的面积，SK海力士将其称为单元下的外围电路（Peripheral circuits Under Cell，PUC）。
SK海力士的176层技术是基于电荷捕获单元（如美光），而且单元堆栈实际上是基于双层字符串堆叠（2*96），与美光的176层产品类似。
2分区单元阵列选择技术涉及在逻辑上将一个单元分为两部分，以加快读取速度。减半意味着单元具有较低的电阻，缩短了施加感应电压所需的时间，从而提高了读取速度。
