11月1日，国家集成电路产业投资基金二期股份有限公司新增对外投资，被投资企业为合肥沛顿存储科技有限公司（下称“沛顿存储”），出资9.5亿人民币，占比达31%。
深科技全资子公司沛顿科技与大基金二期、合肥经开投创以及关联方中电聚芯签署《投资协议》，共同出资设立沛顿存储，注册资本30.6亿元。
其中，沛顿科技、大基金二期、合肥经开投创和中电聚芯分别现金出资17.1亿元、9.5亿元、3亿元和1亿元，各持有沛顿存储55.88%、31.05%、9.8%和3.27%股权。
沛顿存储成立后，将投建存储先进封测与模组制造项目，该项目总投资30.67亿元，其中建设投资29.65亿元，建设周期36个月。
其中，将主要建设DRAM存储芯片封装测试业务，计划全部达产后月均产能为4800万颗；建设存储模组业务，计划全部达产后月均产能为246万条模组；建设NAND Flash存储芯片封装业务，计划全部达产后月均产能为320万颗。
据了解，该项目技术来源于沛顿科技。目前，沛顿科技存储芯片封装制程采用的是当前高端产品的主流技术，如wBGA、LGA、SOP、TSOP、QFN、系统级SiP封装技术等，现有产品已实现多达16层的多晶堆叠技术，最大单颗芯片容量可达到256G。
深科技表示，通过本次项目的实施，沛顿科技可以提升自身先进封测综合实力，在先进封测领域取得突破性进步；同时，项目实施可满足客户较大需求的DRAM、Flash存储芯片封测以及DRAM内存模组制造业务，有利于打破国内存储器领域对进口产品的依赖和技术壁垒，加速存储器国产化替代进程，提升国产存储器芯片的产业规模，促进我国存储器产业链发展。
