Imec 与格芯宣布在 AI 芯片领域取得突破，将深度神经网络计算用于物联网边缘设备
格芯将在 22FDX 平台上实现 AiMC 功能，以便在 AI 市场领域提供差异化解决方案。格芯的 22FDX 采用 22nm FD-SOI 技术，在极低功耗下提供出色的性能，并能够以 0.5 V 超低电压和 1 皮安/微米(pA/um)的电流工作，实现超低待机泄漏。具有全新 AiMC 功能的 22FDX 正在格芯位于德国德累斯顿 Fab 1的先进300mm 生产线上进行开发。（格芯）
Soitec 与 Qualcomm Technologies 签署合作协议，为 5G 射频滤波器大规模生产 POI 衬底
Soitec 在射频市场有着多年经验，尤其是在 RF-SOI 板块有着极高的出货量。在与 Qualcomm Technologies 多年的合作基础上，此次签订协议后，Soitec 将为 Qualcomm Technologies 的射频滤波器大规模生产 POI 衬底，以用于智能手机射频前端模块。（Soitec）
行业动态
SkyWater 获 MIT 林肯实验室关键技术 FD-SOI 授权
麻省理工学院（MIT）的林肯实验室将 90nm FD-SOI 工艺授权给芯片制造商 SkyWater 的 Trusted 晶圆厂，加速后者获得由国防部（DoD）高达 1.7 亿美元的资助，以增强国防部在微电子领域的实力，并用它制定新的 90nm Red-Hard 产品制造流程。（SkyWater）
加州大学伯克利分校课程项目：两足行走的 MEMS 机器人
加州大学伯克利分校开设了一项课程项目，设计、仿真、制造并测试了一个两足行走的微机电系统（MEMS）小型机器人。该机器人采用标准的双掩模 SOI 工艺制造，通过外部有线连接输入 500Hz 的电信号，步行速度可达 1 mm/s。（加州大学伯克利分校）
具备高量子协同性的二维光机械晶体腔
光机械系统为量子信息处理和量子传感提供了新的机会。然而，在超低温度下操作纳米级光机械设备具有挑战性。基于这种新设计的测试器件是由 SOI 微芯片制造，微芯片由 220nm 厚的硅器件层和 3μm 掩埋氧化物层构成。(Nature)
Dolphin Design 开发 SPEED 计算平台
法国半导体 IP 和设计平台提供商 Dolphin Design 透露正在开发两个新的计算平台。其中之一是 RAPTOR，它采用 28 nm FD-SOI 技术，每个周期可执行 128 个以上的 MAC 操作，效率为 2200 GOPS/W（@16 GOPS）。据悉平台将在 2021 年第二季度上市。（Dolphin Design）
活动资讯
2020 SEMICON West：一场全新的线上活动
时间: 2020年7月
参与2020 SEMICON West（美国洛杉矶半导体展览会），和 SOI 国际产业联盟一起探讨硅光子学话题：“硅光子技术何时替代用于VLSI的铜质线缆并拓展数据传输之外的应用”。在本次线上会议中，我们将一同探讨最先进的硅光子学，并展望未来发展趋势。
基于创新的 FinFET 和 FD-SOI 解决方案设计 AI 加速器时间：2020年8月7日（13:00 GMT +8）该网络研讨会将重点介绍格芯针对云和边缘的独特AI解决方案，通过双FinFET（12LP 和 12LP+）和 FD-SOI（22FDX®）路线图解决 AI 训练和推理应用中的功率难题。FinFET平台具备优化的标准单元库和单轨 0.55V Vdd 位单元的特性。22FDX 具有0.5V的 超低功耗（ULP）和 1pA/cell 的超低功耗泄漏（ULL），以及提供 eMRAM。
