2019年CFMS（中国闪存市场峰会）上，慧荣抛出的主题为“存储核心，打造5G/AI新势力”，由此可见未来慧荣会针对这些行业进行重点布局。在国家大力发展5G的同时，在手机端的硬件配套方面慧荣一马当先，发布了首款UFS3.1主控产品——SM2754。
在刚刚发布的一些5G手机上，还在使用UFS 3.0的主控芯片，这在高速的5G时代显然是最大短板。全新的UFS 3.1主控芯片符合JEDEC标准，顺序读取速度可达2GB/s，而顺序写入也突破了450MB/s，相比以往UFS 3.0提升了太多。
可以说慧荣发布全新SM2754顺应了时代的发展需求。慧荣科技总经理苟嘉章在峰会上讲到，面对5G应用生态系统时代来临，针对大数据存储的需求急速增加，慧荣会权力配合各个原厂，满足用户对未来存储的需求。
在现场，展示的一加7 PRO手机就使用了SM2754主控芯片方案，正在播放4K分辨率的慧荣品牌宣传片，全部过程没有一丝卡顿现象，很好的表现了主控芯片的性能和稳定。相信在5G不断发展的以后，会有越来越多搭载慧荣SM2754主控的手机问世。
当然，除了在5G手机市场外，慧荣还发布了两款全新的NVMe Gen4 x4的SSD主控芯片，一款是面对主流市场的SM2267，另一款则是旗舰级的SM2264。
自从AMD宣布PCIe 4.0技术后，大家对它的期待非常高。与PCIe 3.0相比，PCIe 4.0的速率从8GT/s提升到了16GT/s，这给平淡的DIY市场带来了升级的动力，不过想要全面普及NVMe Gen4的产品恐怕还需要等上一段时间。这也是为何之前一直是群联在宣传，而慧荣则比较低调的原因。
不过此次闪存峰会，慧荣直接发布了两款NVMe Gen4产品也给很多品牌商带来很大的信心。全新的SM2267主要面对主流的桌面市场，提供4个NAND闪存通道，支持128+层3D TCL/QLC闪存，最高支持8TB容量。性能方面，连续读取速度可达4GB/s，连读写入速度可达3GB/s。随机读取速度可达400K IOPS，随机写入速度可达400K IOPS。
而面对高端市场的旗舰版SM2264则提供8个NAND闪存通道，支持128+层3D TCL/QLC闪存，最高支持16TB容量。性能方面，连续读取速度可达7GB/s，连读写入速度可达6GB/s。随机读取速度可达700K IOPS，随机写入速度可达700K IOPS。
苟嘉章总经理表示，2019年上半年受到中美之间的紧张局势影响，全球经济的不确定性也造成巿场成长减缓。但5G在中国发展迅速，中国巿场在人工智能及物联网与互联网的极速发展领先全球，5G让万物得以相联，面对5G应用生态系统时代来临，针对大数据存储的需求急速增加，慧荣最新企业级存储主控芯片解决方案，支持所有国际闪存大厂的3D NAND，并提供客制化固件，可满足不同巿场应用。
如今慧荣主控已经成为全球主控市场的中坚力量，伴随科技的发展，慧荣与时俱进不断推出顺应市场的高性能产品，在5G和人工智能即将爆发的时代，更好的服务上游和下游的厂商，满足更多用户对性能和容量的需求。
