Santa Clara, Calif., August 6, 2019——Flash Memory Summit2019（FMS2019）在美国开幕，Memblaze现场展出了最新的基于东芝XL-FLASH技术的超低延时 NVMe SSD存储方案以及多命名空间管理技术，并在大会技术论坛发表演讲，共同探讨最新技术趋势。
Memblaze推出超低延时NVMe SSD方案 混合读写延时27微秒
超低延时闪存是当前非常热门的技术趋势，东芝推出的XL-FLASH是超低延时存储介质的代表，读延时可以达到普通3D TLC NAND的十分之一。Memblaze联手东芝对XL-FLASH的低延时潜力进行了深度挖掘，推出PBlaze5 X26超低延时NVMe SSD方案，并在FMS2019现场进行了首次展出。
Memblaze现场演示了PBlaze5 X26 800G开发版本的延时特性。4K随机写的延时低至10微秒，4K混合读写模式下，平均延时低至27微秒，并且在数小时压力测试中，始终保持高度一致的超低延时性能，随着研发的推进，最终产品将会降至20μs以内。
PBlaze5 X26是 Memblaze 在超低延时 SSD 领域的最新探索。基于 Memblaze 核心的闪存技术，该方案在发挥 XL-FLASH超低延时性能优势的同时，还保证了高QoS，能够为企业关键业务提供快速平稳的存储服务。另一方面，相对于3D Xpoint 等 SCM介质来说，XL-FLASH具有显著的价格优势，这将助力PBlaze5 X26系列产品在市场中被快速接受，并在行业内得以广泛应用。
基于多命名空间实现多种介质精细管理
随着对闪存介质研究的深入，Memblaze对于存储介质的管理能力不断增强。Memblaze的混合介质的多命名空间管理技术，支持将DRAM、NAND 等介质划分成为不同的资源池并以命名空间的形式为应用提供服务。
这项技术在MySQL数据库场景中收益显著，Memblaze在FMS2019现场进行了演示，使用了混合介质的多命名空间管理技术的PBlaze5 不仅助力MySQL在两个小时TPCC测试中始终保持32000以上的TPMC成绩，而且没有出现性能抖动。另一方面，这项技术无需包括MySQL在内的应用改变自身运行机制，这一优势使其可以高效接入现有的企业数据中心中。
在FMS2019上，NVMe、 NVMe-oF等话题仍然保持着热度，另一方面，PCIe4.0、各类新存储介质为整个固态存储市场注入了新鲜血液，Memblaze也在不断前行，与合作伙伴共同推动企业存储市场不断前行。
