美国西部时间8月6日，一年一度的美国闪存峰会(Flash Memory Summit)在硅谷圣塔克拉拉会议中心如期举行。FMS2019带来了未来非易失存储器件的研讨、企业级闪存存储方案等行业热门议题。峰会设置了中国专场（China Session），包括上午的技术论坛和下午的圆桌论坛。自从杭州电子科技大学教授（也是华澜微电子股份有限公司总经理）骆建军教授组织发起中国专场以来，这已经是第七届中国专场（China Session），而且是峰会开始第一天的首批论坛分会。
上午的技术论坛在会议中心GAM3会议室如期召开。全球闪存企业界、投资界、学术界以及专业媒体人员聚集。来自中国闪存行业的代表们再次为全球业者展示了中国目前最先进的闪存技术和闪存应用。
早上8:30分，中国专场主席骆建军教授宣布论坛开始，FMS主席Charles Sobey做了致词发言。Charles先生最近几年多次往返中美之间，作为存储半导体专家的他，对中国最近几年的技术发展和不断进步表示赞赏。骆建军教授随后也发表了热情洋溢的讲话，他为了中美闪存业者的技术交流和更好展示中国技术付出了不断努力。从2013年开始组织FMS中国专场，先后组织了50余人次中美专家之间的互访，为推动双方技术进步和技术交流做出了巨大贡献。
Charles和骆建军两位都衷心感谢来自全球的业者一起来参加中国专场的交流。最近两年，因为中美贸易摩擦等问题，专家互访多了一些障碍，例如，每年都会因为签证和管控等问题造成部分专家不能参会。但是，这并没有影响全球业者对中国的关注，也没有影响中国业者对外交流合作的愿望；产业发展和市场需求也在不断推进两地交流。去年的2018年展会上，代表中国长江存储的杨士宁先生发表的Xtacking技术、中国科学院刘明院士展示的RRAM技术，为全球业者带来了耳目一新的中国原创技术，吸引了全球业者的同时，也在推动中国闪存的应用和发展。
本次论坛有不同背景的五位专家，分别从不同角度，展示了最近一年中国闪存产业和技术的方方面面：
- 首先，来自兆易创新的Michael Wang就最近几年兆易创新在AIoT方面的一些应用和新的方案进行了介绍，他提到在闪存和AIoT应用上，他们通过植入智能技术，物联网业者提供了更加安全可靠和成本可控的解决方案，使得物联网厂商可以在原有BOM不变的基础上能够直接开发新的应用。
- 接着上场介绍的是得一微电子。作为国内领先的闪存控制器厂商，得一微是在原来硅格和时鼎合并基础上成立的，在闪存应用方面有不少独到见解，这次他们的市场总监罗挺先生提出了更好的控制器设计理念和应用。
- 第三位展示技术理念的是来自腾讯云的柳文中先生。柳先生是非常有名的云存储专家，他拥有20余年的存储经验，作为国际一流的互联网公司，腾讯需要更安全、更高效的存储来满足不断发展的业务需要，更加均衡在各种存储介质和存储进行配置是腾讯云存储满足应用的关键。
- 第四位出场的刘海銮先生，来自华澜微电子（SageMicro），具有丰富的存储控制器设计经验。他带领团队完成过多颗存储控制器的设计，刘先生深深体会到存储控制器和存储应用对可靠性要求的不易，这次他给大家分享的创新技术，是将磁旋存储器（MRAM）应用于新一代企业级高端控制器设计中，为产品可靠性带来新解决方案，针对性地解决困扰业者已久的随机存储器（DRAM）缓存因掉电造成数据丢失甚至SSD失效的问题。
- 最后，来自中科院的杨建国教授，专业研究未来新型存储器技术，尤其是中科院微电子所已经取得了业界领先的RRAM实践成果，正在深入推进中。他对未来发展的RRAM提出了自己独到的见解，并预测因为更好产品性能和可靠性，未来存储领域一定会有RRAM的一片天地。
论坛在每位专家介绍完毕后，留出了十分钟的提问答疑时间。现场记者和业者纷纷提问，互动积极踊跃。尤其是，中国在技术方面不断创新，不断展示出自主开发、原创设计的活力，更已经成为全球闪存业界不可忽视的一支力量。今日中国闪存产业在国际市场和技术开发方面备受关注。
最后，论坛专场主席骆建军教授做了总结发言。他十几年从事闪存控制器芯片开发，无论在学术界还是企业界都有建树，很有感触。他再次强调：“中国大陆来美国硅谷介绍和交流的专家学者克服了美国签证的障碍，克服了十几个小时长途飞行的艰辛，值得国际同行们尊敬，需要给予特别的感谢。”中国积极融入全球市场、积极提供技术方案共谋存储产业发展，是有意义的活动。他召唤明年的中国论坛专场有更多的中国专家学者参与。他表示，随着全球经济互通互惠的发展，闪存业者一定会加强交流合作，明年的闪存峰会一定会更加热烈兴旺；呼吁广大业者共同努力，解决困难和障碍，推动新技术新产品，让大数据的时代进一步造福人类。
