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紫光集团大举进军内存芯片 “台湾存储教父”任CEO

字越少,事越大。

昨日深夜11点,紫光集团宣布组建DRAM事业群。这标志着紫光集团DRAM战略正式起航,将进一步拓宽紫光集团在存储器领域的相关布局,深化和完善紫光集团“从芯到云”产业链的建设。

从行业角度看,目前全球超过90%的DRAM市场份额集中在三星、海力士、美光这三家公司手里,国内DRAM制造厂商仅有两家(尚未大规模投产),此次紫光集团进击DRAM,或将对全球DRAM市场产生深远影响。

短期看,国内DRAM厂商可能无法撼动“三巨头”的地位,但假以时日,背靠广阔的中国市场和国产替代机遇,则有望打破寡头格局。

有备而来

进击DRAM,紫光集团是有备而来。

一方面,经过多年的发展,紫光集团在存储器的设计制造领域已形成一定基础,积累了从设计、生产、测试、方案构建到全球量产销售等研发和产业化经验。在DRAM领域,紫光集团旗下西安紫光国芯自主创新出全球首系列内嵌自检测修复DRAM存储器产品(ECC DRAM)。紫光集团借助长江存储和武汉新芯的平台,聚集了大量的三维闪存和DRAM的工艺研发人员,工艺研发人员人数近2000人。目前长江存储和武汉新芯的员工人数近6000人。

另一方面,出任DRAM事业群的董事长刁石京和CEO高启全均在集成电路及存储领域有深厚的技术积累和丰富的产业经验。两人加入紫光集团已有时日,这对理解紫光集团建设“从芯到云”的产业链也更为深刻。

公开资料显示,2018年5月起,刁石京任紫光集团有限公司联席总裁,目前是上市公司紫光国微的董事长,也是紫光展锐(计划在科创板上市)的执行董事长,同时还是长江存储的执行董事。加入紫光之前,刁石京曾任电子工业部办公厅、信息产业部办公厅部长办公室副主任,国务院信息化工作办公室综合组副组长兼机关党委副书记,工业和信息化部电子信息司副司长、司长。

素有“台湾存储教父”之称的高启全于2015年10月加入紫光集团,出任紫光集团全球执行副总裁;2016年长江存储成立后,担任长江存储的执行董事、代行董事长。他早年在仙童半导体做工程师,在英特尔内存公司担任了四年的研发部经理。1987年追随张忠谋回到中国台湾,担任台积电一厂厂长。尔后作为创始人之一成立旺宏电子,这家公司主营产品包括NOR Flash、NAND Flash。加入紫光之前,他在台塑集团旗下的DRAM存储器芯片公司任职,曾担任南亚科技(Nanya)全球业务执行副总与营运执行副总及总经理职务,2004年出任华亚科技(Inotera)总经理,2012年担任南亚科技总经理主导公司策略营运,同时并担任华亚科技董事长等职务。

作为全球存储领域资深人士之一,高启全对市场、人才、技术都有自己独到的见解。

他此前在接受中国证券报专访时表示:“我们做半导体产品,基本上不是比谁聪明,而是比谁有多少钱,有多少人,能做多少研发实验,能做得多快,这些才是最重要的。我们大概每年要有十亿美金的研发费用、三千多人的研发团队,差不多要保证每年有一百亿美元的收入,这就需要20%的市占率,这是我以前的经验。要指出的是,台湾有三、四个工厂因为做不到20%现在全部关掉了。”

“国之重器”

DRAM即动态随机存储芯片,它是主存储器(又可称为内存)的一种,区别于NAND Flash代表的外储存器(指除内存及CPU缓存以外的储存器,此类储存器一般断电后仍然能保存数据)。

作为最常见的系统内存,DRAM具有高容量、大带宽、低功耗、短延时、低成本等特点,广泛用于PC、手机、服务器等领域,是集成电路产业产值占比最大的单一芯片品类。而FLASH具有寿命长、体积小、功耗低、非易失性等特点和优势,广泛应用于消费电子、移动通信、网络通信、个人电脑、服务器等领域,主要用于代码存储和数据存储等,是近年来发展较快的存储器芯片产品。

在不少卖方研报中,DRAM被看作“国之重器”,其重要性不言而喻。然而,作为第一大DRAM消费市场,中国大陆却几乎没有自主产能。以2018年为例,根据智研咨询统计,中国集成电路进口额达到3120亿美元,其中存储芯片为1230亿美元(同比增长1188.99%),占集成电路进口总额的39%。

值得注意的是,受智能手机内存提升、大规模建设数据中心、物联网快速发展、汽车电子等下游需求的带动,2016年第二季度开始,存储器价格一路飙升,也让存储器在2017年成为集成电路最大细分领域。据WSTS数据,2017年全球存储器市场规模达到1240亿美元,同比增长61.5%,市场份额为30.1%。

不过,今年以来,受库存过高等因素影响,DRAM价格跌跌不休。根据集邦咨询半导体研究中心调查显示,2019年第一季度,DRAM合约价跌幅持续扩大,整体均价已下跌逾20%;第二季整季跌幅逼近25%;该机构近期正式下修第三季DRAM价格展望,跌幅由原先预估的10%,扩大至10%-15%。

价格下跌,令厂商态度保守,纷纷削减资本开支。集邦咨询指出,2019年DRAM产业用于生产的资本支出总金额约为180亿美元,较去年缩减约10%,为近年来最保守的投资水位。在DRAM寡头市场中,由于没有新进竞争者的威胁,各供应商选择透过调整产出,来避免削价竞争。

敢于亮剑

目前,韩国的三星和海力士,以及美国美光,这三家企业占据了全球90%以上的DRAM市场份额,呈现寡头竞争格局。可以期待的是,在存储芯片领域(IDM模式),国内三位探路者已经点燃了“星星之火”。

2016年,长江存储在NOR Flash晶圆制造商武汉新芯的基础上,由紫光集团联合国家集成电路产业基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投资组建而成,负责国家存储器基地项目(总投资约为240亿美元)的研发、建设和运营。长江存储于2017年研制成功中国第一颗3D NAND闪存芯片。2018年8月公开发布其突破性技术——XtackingTM。据中国证券报记者了解,尽管32层3D NAND已有小批量生产,但大批量生产并不在长江存储的计划之内,其瞄准的是与全球巨头缩小差距,尽快追上64层甚至128层的全球领先水平。

值得一提的是,2015年紫光集团试图以230亿美元收购美光,借此进入DRAM和三维闪存领域,但最终未能如愿。

2016年5月,长鑫存储在安徽合肥成立。2017年10月,主营产品包括NOR Flash的A股公司兆易创新发布公告,与合肥市产业投资控股有限公司签署合作协议,约定双方在安徽省合肥市经济技术开发区合作开展工艺制程19nm存储器的12英寸晶圆存储器(含DRAM等)研发项目,项目预算约为180亿元。今年5月15日,长鑫存储董事长朱一明表示,公司已累计投入25亿美元研发费用,建成严谨合规的研发体系和独有技术体系。

福建晋华于2017年2月落地晋江,该项目规划面积594亩,一期总投资370亿元,主要建设12英寸DRAM晶圆生产线,产能规模为月产6万片内存晶圆;二期将新增6万片内存晶圆产能规模。在技术路径上,将首先依托联华电子集团共同开展产品研发和制程设计,达到一期项目产品要求后,转入自主建设研发体系、自主开发新世纪产品,持续跟进全球内存制造前沿技术。遗憾的是,2018年10月,福建晋华被美国商务部列入“实体清单”。在今年1月25日的声明中,晋华表示,已向美国商务部最终用户审查委员会提交信函,声明公司准备递交正式申诉。

现在,DRAM制造领域又添国产“新面孔”,紫光集团将在发展壮大我国存储芯片产业的道路上担当重任。

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