自2005年，Violin Memory作为全闪存阵列供应商创立，时至今日已有十四年。从那之后，约有18家代表性初创公司出现，有的被收购，有的继续前进并开始冲榜。
不过这些公司中只有一家初创公司是成功上市，但现在仍处于负债以及亏损增长阶段。另外有两家老牌全闪存公司留了下来，其余的就一切都随风了。
在这近十五年的动荡，我们也见证了三波全闪存阵列（AFA）的创新浪潮——全闪世界群雄四起，混合闪存阵列公司走出的全闪队形，NVMe-oF助燃全闪阵列（见下篇）。而这里说的闪存公司，不包括Fusion IO，STEC，闪迪，Virident等所有被收购的厂商。
以下历史图谱基于时间线排列，左侧是过去的时间，右侧是现在的时间。彩线表示不同供应商发生的事件，连接代表收购。星标表示企业破产或是产品线没了。
第一波浪潮——全闪存世界的群雄四起
第一队AFA初创公司，按字母顺序排列包括DSSD，Kaminario，Pure Storage，Skyera，SolidFire，Violin Memory，Whiptail，X-IO和XtremIO等。其中Pure和XtremIO获得了极大成功，然后EMC收购了XtremIO，成为当时最畅销的AFA，3年后营收达到30亿美元。
于是EMC认证了全闪存阵列的优势。接着以10亿美元收购早期NVMe-oF阵列技术公司DSSD，后者就没有然后了。在戴尔收购EMC后，2017年3月宣布砍掉了独立的DSSD D5阵列,但保留其技术。这可以说是全闪存阵列史上最大的一次资本注销了。
Pure Storage增长强劲，已经上市而且成为主流企业，年度营收达到16亿美元。
Kaminario还在发展中。
Violin曾申请破产，不过也算是置之死地而后生了，最后关头被一家由索罗斯基金管理公司运营的私募投资基金收购，如今正在重新振作，只不过回归的Violin开始转向软件定义存储，不再谈论硬件开发。
因为戴尔，HPE，IBM和NetApp等主流企业已经有了强大的全闪存阵列产品，再加上初创公司Pure Storage也开始做大，Tegile，Tintri发展迅速。如果想撕，就要烧钱造硬件，显然这并不适用现在的Violin。而且软件定义存储发展空间极大，未来Violin在软件定义存储市场重整旗鼓或未可知。
这里值得感慨一下的是，在2015年，也就是被EMC收购后的第一年，DSSD还力挺过Violin关于闪存的言论，赶脚像是难兄难弟……
Texas Memory Systems被IBM吞并，前者技术存在于IBM的FlashSystem阵列中。
2014年，Skyera被西部数据收购。
作为一家全闪存阵列厂商，2014年是闪迪的一个短暂辉煌年，砸了11亿美元收购Fusion-io，并且推出了IntelliFlash大数据阵列。然鹅2015年，西部数据就以190亿美元的价格收购了闪迪，于是西部数据拿到了企业和消费级闪存驱动器市场的镀金准入证。
2015年12月，SolidFire被NetApp以8.70亿美元收购。印象中SolidFire当时灰常狂，时常出对比报告挑衅大厂来着，然后就被收购了……
2013年9月思科于以4.15亿美元收购Whiptail。但之后认为买下的闪存阵列技术还需要做大量的开发工作，力莫能及，于是在2015年6月宣布放弃Invicta产品。
第二波浪潮——混合闪存阵列公司走出的全闪队形
新一波全闪存阵列开发浪潮由三家混合阵列初创公司主导——Nimble，Tegile和Tintri。
然后这三家都被收购了。HPE为了InfoSight云管理设施买了Nimble，并且正在将技术扩展到3PAR阵列然后是普遍扩展到数据中心。
而Tintri则申请了破产，然后它的资产在9月份被HPC存储供应商DDN以6000万美元收购。当然Tintri也为DDN开了一条进入主流企业级阵列业务的通路。
混合闪存企业X-IO没有在图谱里出现，因为后来它把ISE全闪系列卖给了Violin，现在继续以全闪存物联网边缘盒子的制造商Axellio的身份存在。
现在的七家主流厂商都或收购了初创公司或使用了AFA技术重组自己的阵列产品线，还有两家尝试开发自己新的AFA技术。其中一个就是NetApp的FlashRay。
另一个是HDS的自有技术，虽然幸存但并不是参与市场的主要玩家。现在看来，基本没有老牌企业从一开始就已经开发出现在已然成熟的AFA技术。
戴尔EMC把闪存加入到其EMC方的VMAX和VNX阵列以及戴尔方的SC阵列。 IBM有了DS8000和Storwize阵列。HPE将闪存放到了3PAR产品线中。
思科，在砍掉Invicta之后表示就不陪大家玩耍了。
最初的SSD有SATA和SAS接口。然后是采用速度更快的NVMe接口直接访问服务器或阵列控制器的PCIe总线，而不再通过SATA或SAS适配器间接访问。
这个转换过程正在进行，而SATA作为SSD接口似乎正在走下坡路。NAND技术通过回归大型工艺尺寸并在3D NAND堆叠闪存层，以免每个较小的单元不稳定导致平面工艺开发陷入困境。
从16层开始，然后是32，48，64层，现在转向96层，然后128层。在大致相同的平面到3D NAND转换时间，每单元存储容量从1位到2位（MLC）闪存到3位（TLC），现在是4位（QLC）即将到来，大家都开始拼容量。
同时通过闪存阵列也加速了磁盘阵列市场里的自我竞争。所有主流企业都在忙着帮客户用新的AFA产品替换旧的磁盘阵列。
