英特尔正准备在D1X 工厂加大对7nm EUV光刻工艺的研发，这座工厂位于美国俄勒冈州，晶圆厂扩建通常需要数十亿美元，而EUV光刻的大规模采用预计会增加额外成本。
英特尔目前正在努力完善一种称为极紫外光刻（EUV）的新制造工艺，这将使微芯片能够在宽度小于0.1微米的电路线上进行蚀刻，使其比现在的芯片强大100倍。使用该技术构建的存储器芯片将能够存储比现在多1000倍的信息，该工艺将用于构建其新一代7nm芯片。英特尔此前曾表示，计划在其完善其10nm芯片后立即开始研发7nm工艺。
D1X工厂 （图片来源：英特尔）
竞争对手芯片制造商Advanced Micro Devices公司已经完善了自己的7nm工艺，英特尔面临着加速发展的压力，月初，CES消费电子展上宣布推出首款Radeon VII芯片。英特尔表示D1X将有助于其更快地响应市场，将供应时间缩短约60％。虽然英特尔的行政总部位于硅谷，但D1X是英特尔的主要研发中心，在该中心设计其新一代计算芯片技术。
英特尔已告知其承包商预计合同周期为18个月，随后开始数月的额外设备安装，容量扩建相当大，预计最早的开放日期将是2021年中期。
