荣获2017年存储介质产品金奖的三星Z-SSD更多细节浮出水面，是三星半导体面向AI，超级计算、等领域的高性能企业级存储。
三星半导体发布的Z-SSD产品名称为SZ985，该产品使用Z-NAND，搭配Phoenix控制器和LP DDR4 Dram，特点是读写时延低，是普通3D TLC时延的1/5左右，寿命高达30 DWPD@5 Years，有800G\1.6T\3.2T多种容量可以选择。同时，先进的Z-NAND技术，可以保证较高性能一直性。
存储在线从三星半导体处获得了Z-SSD较为详细的参数：
在研发阶段，ZSSD不俗的性能表现，就已经得到了国外一些合作伙伴的认可，目前已经在传统存储领域，云计算服务领域规模使用。三星市场技术主管田泳福（YB Jeon）表示Z-NAND是基于成熟NAND技术，近一步优化而来。三星的NAND技术已经经过多年的技术积累，经受住了市场和用户的考验，所以在企业级场景选择基于Z-NAND的ZSSD产品是明智的。同时三星还规划在2018年推出M.2和U.2的Z-SSD产品，适应更多的应用场景。
除了ZSSD，三星的NGSFF产品也再一次突破了存储密度的极限。三星NGSFF产品在M.2的基础之上，增加了双端口，热插拔，带外管理等企业级特性，可以容纳更多的NAND颗粒，每个NGSFF SSD可以选择的容量有4T\8T\16TB。根据三星提供的“Mission Peak”参考设计平台，1U服务器最大可以安装36片前维护热插拔的NGSFF，单机容量高达576TB。三星中国区市场营销主管张胜淳（Ryan Chang）向DOIT表示，希望能够与中国更多的客户一起合作，目前英业达、广达、超微等ODM已经推出基于NGSFF的解决方案。
与此同时，三星半导体其他企业级SATA\NVMe\SAS SSD产品，在2018年会推出使用64层3D TLC NAND的新型号，我们会跟踪持续报道。
