1 月 8 日，美光科技和英特尔发布了双方 NAND 存储联合开发计划的最新动态。这段成功的合作关系已帮助两家公司开发出行业领先的 NAND 技术并顺利推向市场。
此次发布内容包括两家公司商定将各自独立开发新世代 3D NAND 技术。双方同意共同完成第三代 3D NAND 技术的开发，该技术将在 2018 年末交付，并持续到 2019 年初。在此技术节点之后，两家公司将独立开发 3D NAND 技术，针对各自的业务需求更好地优化技术和产品。
美光科技和英特尔均预期各自未来的 3D NAND 技术节点开发步调不会发生改变。两家公司目前正量产以第二代 3D NAND（64 层）技术为基础的产品。
双方仍将继续在位于犹他州李海的 Intel-Micron Flash Technologies (IMFT) 合资工厂联合开发和制造 3D XPoint 产品，该工厂现已完全专注于 3D XPoint 存储的生产。
“美光与英特尔的合作由来已久，我们期待在未来各自进行 NAND 开发的同时继续就其他项目与英特尔合作。”美光科技技术开发执行副总裁 Scott DeBoer 说，“我们3D NAND 技术的开发路线图非常稳固，计划在我们业界领先的 3D NAND 技术基础上，将极具竞争力的产品推向市场。”
“英特尔和美光科技建立了成功的长期合作关系，令双方受益匪浅。现在，NAND 开发合作关系已经发展到了适当阶段，是时候让两家公司致力于各自专注的市场。”英特尔非易失性存储解决方案部门高级副总裁兼总经理 Rob Crooke 说，“我们的 3D NAND 和 Optane 技术路线图为客户应对当下的众多计算和存储需求提供了强大的解决方案。”
