绝大部分智能手机用户都有过因为空间不够，忍痛删除APP和照片的经历，照片分辨率越来越大，APP做的越来越大，用的时间越久占的空间越大，所以每隔一两年，你手里的智能手机内存和存储空间都在翻倍。
事实上，能听得见5G，人工智能，VR/AR，4K高清视频都在齐声召唤更大更快的存储，这是大势所趋，手机上的存储容量从几百兆，几个G进化到了256GB，超过了PC入门级SSD的容量。
12月上旬，西部数据（闪迪）在北京发布嵌入式存储盘，这是西数收购闪迪之后第一次正式的产品发布，从市场上看，标志着闪迪正式归到西数旗下了。
新发布的是用在手机上的iNAND 8521和iNAND 7550，此次发布主要是针对移动市场，按照惯例新产品发布总是移动优先，其后才是智能家居、物联网、车载等相关产品。
我们先来看一下两款新产品：
这张图看8521的性能表现
iNAND 8521更强调性能表现。用的是非常领先的UFS 2.1控制器技术，还有最新的64层3D NAND技术，采用的是第五代SmartSLC技术，先把数据写入到SLC里，随后在写到3D NAND的TLC里面，性能和使用寿命都有很大提升。
在SmartSLC的帮助下，iNAND 8521顺序写速度能达到500MB，随机IOPS写速度能达到45K，性能非常强悍，所以主要适用于旗舰手机机型，容量从32GB起，到256GB。
这张图看7550的耐用性
iNAND 7550主打经久耐用。采用的是相对更成熟的e.MMC技术，也相对低端一些，用的也是64层3D NAND，容量为32GB-256GB之间，采用的是第四代的SmartSLC技术，SmartSLC除了能优化性能和寿命以外，还能在以外掉电的情况下保护数据完整性。
性能方面，顺序写的速度能达到260MB每秒，随机读和写IOPS性能与上代产品相比分别提升了135%和275%，e.MMC在适用于中端和中高端手机机型。
3D NAND 64层存储介质
这次选用的仍旧是BiCS4，64层的3D NAND，关于未来BiCS5发展的时间点还没确认，此前，业内西数与东芝联合发布过关于96层3D NAND的消息，三星也有类似的消息传出，不过，目前64层的3D NAND仍旧是主流。
3D NAND都是TLC技术，业内目前也没有QLC实用产品，QLC技术难度更高，。今年的美国的闪存峰会（FMS2017）上有存储系统厂商谈论QLC的内容，一个时强调ECC的重要性，一个强调可以用人工智能来辅助做QLC的存储系统，QLC离实际落地应该还有很长一段路要走。
发布会现场西数（闪迪）EIS部门产品市场管理总监包继红介绍了导致今年以来闪存缺货涨价的四个原因：
第一、很多设备从HDD变成了SSD，造成需求量上涨；
笔者也能感受到，且不说企业级市场也在向SSD转型，更常见的消费机PC上，很多人都会选择一块SSD作为系统盘，新PC标配SSD，旧的PC也在换SSD，这波换的趋势是一个原因。
第二、另外一个因素就是从2D转3D的技术转移，3D NAND技术门槛很高，所以会影响产能；
第三、由于部分行业巨头周期性产品发布会囤积一些货品，当这些货品没投向市场或者少量投向市场就会造成影响；
第四、投资的迟疑，在去年的时候，厂商对以后投资内存、NAND还是其他产生了迟疑；
笔者也认为，究竟以哪种技术生产多少产品在困扰着厂商，所以各家都采取保守的态势。
从笔者分析来看，自从3D NAND出现以来，3D技术获得了飞速发展，业内从32层到48层，到到64层，到96层，更有甚者还提出了128层，可能各存储大厂都在观望彼此，技术成熟与否，能否商业化，到底会不会推出这样的产品，生产这样的产品该生产多少。
技术进化的时间很快，除了可能导致产品线混乱，贸然大批量生产还可能竞争劣势。或许刚好大家更高级的产品技术还不成熟，都在等技术成熟后大批投入市场。
包继红表示，当以上所有的事情都同时发生了，才导致了18个月的缺货与涨价。
这点似乎也在预示着这场偶然事件过去之后就会迎来正常的市场状态了。
