7月26日，《华尔街日报》援引四位知情人士的消息称，由中国国家集成电路产业投资基金牵线搭桥，紫光集团已收购武汉新芯集成电路制造有限公司（“武汉新芯”）多数股权。紫光集团董事长赵伟国将担任武汉新芯的新控股公司“武汉长江存储科技有限公司”总裁，紫光集团将持有武汉长江存储科技有限公司超过50%的股份，其余股份由国家集成电路产业投资基金以及武汉市政府支持的一家基金持有。
在此前的报道中，我们曾经介绍过，紫光国芯握有DRAM IC 设计公司西安华芯控股权，同时采用按照华亚科模式生产 NAND Flash，也就是美光提供生产技术，合作方股东出大量资金建厂。美光可以在不出钱的情况下，取得技术授权金与分享产能的回馈。加之华亚科前董事长高启全助力，紫光国芯在NAND，特别是3D NAND，所谓大存储制造方面就拥有了雄厚的实力。而武汉新芯则在2015年2月与Spansion达成合作协议，签署共同开发和交叉授权协议，开发与生产3D NAND闪存技术，武汉新芯为此募集了约240亿美元，打造中国存储芯片产业基地。如今，以紫光国芯、武汉新芯为代表，存储芯片中国制造已经形成规模。
在6月30日举行的2016中国闪存峰会上，在“大存储产业和中国力量”高峰对话环节曾经介绍过：以NAND，特别是3D NAND存储介质更新换代为标志，存储产业正在发生翻天覆地的变化，同时也给半导体制造带来了新的发展机遇。在CPU、DRAM制造之外，3D NAND大存储制造给中国制造带来了新的机遇。众所周知，在半导体制造工艺技术上，国内较之国外有一代半的差距。但是NAND制造，特别是3D NAND制造，会采用前一代制程工艺制造，这就意味着，3D NAND大存储制造进入了中国制造的能力范围。通过较大投入，中国制造完全有机会跻身领导地位。
在2016中国闪存峰会上，武汉新芯执行副总裁、商务长陈少民指出：“市场规模影响到产业甚至是标准的制定，中国今天已经具备这样的条件。虽然是后发之势，但有助于我们看准了方向，从而避免了走绕弯。但我们也会面临产业链等方面的挑战，需要我们迎头赶上。”
紫光集团控股武汉新芯，让中国建造存储芯片两大主要项目：紫光国芯和武汉新芯之间产生了交集，有望形成技术、人员的交流以及产业链上的分工合作。根据掌握的数据，全球存储市场的规模超过800亿美元，未来大存储产业制造机遇前所未有。汉新芯、紫光国芯如携手，存储芯片制造航空母舰宣布下水，强强联合，不仅将缩小与西方国家技术差距，同时有望创造新的辉煌。（文:宋家雨）
