今天一个值得纪念的日子，北京申冬奥成功，创造了全球第一个同时举办夏季和冬季啊奥运会的历史，一个字骄傲（对不起，是2个字，高兴冲昏了头脑）。
申奥成功被各种刷屏，但在存储朋友圈里，3D XPoint还在被津津乐道。有人说，新的3D XPoint是内存（RAM）的速度的1000倍。我记得是闪存（SSD、NAND）速度的1000倍，我以为自己记错了，赶紧查了查新闻稿。没错，是闪存速度的1000倍，我是对的。
何来内存（RAM）速度1000倍呢？其实也没有什么，我说过：看不懂的英特尔3D Xpoint，有点错误正常。
也有说，3D XPoint证明搞半导体，说穿了就是搞材料，因为3D XPoint不是PCM（Phase Change Memory，相变存储装置），不是NAND，那么应该就是新材料。如此一来，很担心模仿者的速度。
如果说是新材料，在“看不懂的英特尔3D Xpoint ”一文中，所说的猜测就不成立了。猜错了吗？
为此，我又和Greenliant亚太营销副总裁李炫辉先生进行了交流，人家才是专家嘛。
李炫辉表示，从这个来看，横的应该是绝缘层。纵向是Selector和Memory Cell，应该是存储，一个是NAND，一个RAM，和上次猜测的一样。
3D Xpoint和FlashTec NVRAM有近似之处。其中，NVRAM是将RAM和NAND结合在一起，设计上，通过增加一系列电容和控制连接的设计（请原谅，我非专业人士，描述未必准确）。作用是，当意外断电的发生时，利用电容供电，将RAM中的数据，高速传递给NAND保存，数据不丢失。大概这就是NVRAM的做法。好处是，内存RAM的高速，NAND的非易失性兼顾。这个描述和3D Xpoint是不是很像。
3D Xpoint差别之处在于，RAM和NAND之间不是靠电容和控制，猜测应该利用所说的3D Xpoint的新材料，通过电位差（我又不专业了，意会吧）实现数据从RAM到NAND的高速传递，RAM和NAND可以做到Cell一级传递。总之，替代了NVRAM的高速互连方法。
是不是如此，没有更多披露。专业的解读，不够专业的转述，供大家参考。
如此一来，看来3D Xpoint首先针对内存（RAM），而不是NAND。所以，有脱离NAND，新一代存储主战场的嫌疑。但也不尽然，未来CPU的设计趋势之一，是将缓存外移，增加计算处理能力，计算和内存借助高速互连（3D Xpoint）实现，兼顾高速互联非易失存储。
所以，3D Xpoint未来的角色定位如何，还是有很大的想象空间！
