也许有人会说，3D NAND有什么好说的，三星早在前年就发布了3D V-NAND，就是基于3D TLC设计的，48层，单Die容量256Gb；此后，SK Hynix、东芝/闪迪、Intel/美光等豪门都开始涉足3D NAND产品。
但需要提醒的是，在这里谈论的是企业级产品市场应用。考虑到频繁读写，以及企业级应用场景对可靠性、稳定性的需求，专业人士指出，这是完全不同的市场。
顺便说一句：企业级闪存产品应用，2D MLC是目前市场主流。
3D NAND很低调
不知道有多少人注意到了英特尔最新发布的两款NVMe协议数据中心固态盘：P3320/P3520与D3700/D3600。
这是英特尔首款3D NAND以及双端口NVMe固态盘。我一直没有搞明白：如此重要的产品发布，为什么英特尔没有单独举办发布会，而是与英特尔新一代E5 V4至强处理器一起发布，注意力被分散应该是不可避免的。
在英特尔的新闻稿中，对于新产品的介绍也是比较简单：DC P3320和P3520是首款基于3D NAND技术制造的固态盘，针对高密度存储市场，比较对象是SATA固态盘；DC D3700和D3600是首款采用NVMe协议双插槽PCIe 固态盘，可提供关键冗余和故障转移功能，对比的对象是双端口 SAS 解决方案。
英特尔企业级3D NAND固态盘就这样在近乎悄无声息的情况下来了，低调得很。
还有NVMe和双端口
无论是3D NAND、NVMe，还是双端口，其中任何一个技术，对于企业级闪存应用都有近乎里程碑的意义。
首先是3D NAND技术，一度被寄予厚望。我们知道，“成本/GB”是影响闪存推广应用的致命问题。为此，厂家不得不避而不谈：“成本/GB”，而是另辟蹊径，大肆宣传闪存在“IOPS/成本”上的突出意义。但无论如何，“成本/GB”是闪存替代磁盘的主要障碍。
为了缩短“成本/GB”的差距，一个是依靠制程工艺技术，例如2D MLC 16nm技术制造，但如今制程工艺技术已经接近了“天花板”，不仅要大量投资，技术问题也比较复杂。为此依靠3D技术，立体化发展就成为了新选择，对磁盘来说，3D NAND无疑是雪上加霜，被终结的日子不远了。
其次，NVMe也是备受关注的技术。计算和磁盘存储之间，以往通过SAS/SATA接口，采用SCSI协议交换数据，尽管SCSI协议栈会带来延迟，但在磁盘时代，磁盘属于慢速设备，磁盘带来延迟远远高于协议栈，协议栈延迟可以忽略不计。但在闪存时代，闪存不仅带来了高速，同时带来了低延迟能力。在闪存时代，SCSI协议栈低效、延迟变得不可以接受，所以，NVMe替代SAS/SATA、SCSI协议栈就成为了必然。但这是从技术角度，市场方面，SAS/SATA在什么时候会被终结，也成为了关注的焦点。
最后，关于双端口，这一度也是困扰闪存盘的问题。要不要提供双端口支持，一度也存在争论。特别在分布式存储备受推崇的时代，可以从应用的角度解决可靠性的问题。所以双端口也值得关注。
但是几乎在一夜之间，问题就有了答案。
3D TLC，还是3D MLC？
更让人没有想到，此次产品发布竟然是基于3D TLC，而不是3D MLC。我们知道，TLC在性价比方面，较之MLC更有竞争力，这就像MLC较之SLC一样。但将TLC应用在企业级产品市场也存在一定的技术难度，除了寿命之外，TLC需要更加复杂的LDPC校验算法。去年，美国闪存峰会期间，PMC发布新控制器技术，宣布支持LDPC，也让人看到了企业级TLC应用的曙光。此前，戴尔虽然也在存储阵列中使用TLC固态盘，但还没有形成规模。应该说3D也是非常复杂的技术，似乎MLC更稳妥。所以，上来就选择TLC，让人真的领略到了什么是“技术凶猛”！
为什么是3D TLC？为此我也询问了英特尔的技术专家，告之：3D技术往往会采用上一代的制程工艺技术，如：22nm～40nm制程技术（顺便说一句，这也进入了国产半导体制造的火力范围，所谓大存储产业基于此而诞生），在这个制程工艺范围，TLC是更加合理的选择，搭配新型闪存控制器技术，3D NAND TLC就这样诞生了。
实际上，3D TLC也好，NVMe也好，这并不是用户关心的，从用户的角度其实很简单：性能和成本。对此，新的产品会有怎样的表现呢？
性能不用多说，已经说了很多。关键在于成本。考虑到商业的因素，价格并不是完全透明的。但对此，英特尔的专业人士给了一个概念：新产品的售价，与现有SAS 2D MLC的价格水平相当。当然，采取这样的策略会有很多的考虑。
小结
如今，用户的问题来了。对于3D NAND、NVMe用户将如何选择呢？仅仅从性能、成本、可靠性来考虑是不行的。用户需要知道趋势和潮流。在采购的时候，3D还是2D？TLC还是MLC？SAS/SATA还是NVMe？双端口，这都是应该询问的问题。对吗？
